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龙图腾网恭喜广州奥松电子股份有限公司申请的专利一种SOI晶圆芯片的分离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115818560B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211322910.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种SOI晶圆芯片的分离方法是由张宾;李若朋;陈新准;庄磊;朱瑞;陈善任;程元红;肖钧尹;钟文兵设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种SOI晶圆芯片的分离方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种SOI晶圆芯片的分离方法，包括如下步骤：按常规方法利用SOI晶圆制备应变计结构，在应变计的电极的表面镀抗腐蚀保护层，腐蚀SOI晶圆的中间层氧化硅层，脱去衬底硅，分离得到芯片。本发明的SOI晶圆芯片分离方法通过在芯片上建立了一种“侧壁保护层Si3N4‑顶部保护层耐腐蚀金属‑底部保护层SiO2”结构，即“Si3N4‑耐刻蚀材料‑SiO2”结构，可显著提高芯片分离良率，且具有通用性，也适用于其它在SOI晶圆上制备的器件，具有较好的应用前景。

本发明授权一种SOI晶圆芯片的分离方法在权利要求书中公布了：1.一种SOI晶圆芯片的分离方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、应变计制备，使用SOI晶圆制备应变计；所述SOI晶圆包括紧密结合的衬底体硅（1）、二氧化硅中间层（2）和顶层硅（3）；所述应变计包括底层的SOI晶圆、侧壁保护层（5）、填充在所述SOI晶圆和所述侧壁保护层（5）中间的功能层（4）及贯穿侧壁保护层（5）与功能层（4）的具有良好接触的电极（6），所述侧壁保护层（5）与所述SOI晶圆的二氧化硅中间层（2）相互紧密结合，构成封闭的空间结构，所述SOI晶圆的顶层硅（3）位于封闭空间内部，所述功能层（4）位于所述SOI晶圆的顶层硅（3）的上方，所述电极（6）两端分别连接功能层（4）和外部，所述侧壁保护层（5）高度大于5um；S2、在应变计的电极（6）的表面镀抗腐蚀保护层（7）；S3、腐蚀SOI晶圆的二氧化硅中间层（2），使衬底硅（1）脱去，分离得到芯片。

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