恭喜北京微元时代科技有限公司;湖南云箭集团有限公司王银鹏获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京微元时代科技有限公司;湖南云箭集团有限公司申请的专利一种带隔离槽的晶圆级MEMS惯性传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115535955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211269930.8，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种带隔离槽的晶圆级MEMS惯性传感器及其制备方法是由王银鹏;任延超;闫桂珍;段国栋设计研发完成，并于2022-10-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带隔离槽的晶圆级MEMS惯性传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及了一种带隔离槽的晶圆级MEMS惯性传感器及其制备方法，所述MEMS惯性传感器包括从下到上依次设置的衬底层、MEMS惯性传感器结构层和盖板；衬底层的上表面开设有多个第一凹槽和隔离槽；所述MEMS惯性传感器结构层上开设有多个通孔，作为悬动结构；所述盖板的下表面开设有第二凹槽，第二凹槽内吸附有吸气剂材料；衬底层与所述MEMS惯性传感器结构层的下表面采用键合工艺连接，MEMS惯性传感器结构层的上表面与盖板的下表面通过键合工艺连接。本发明采用键合工艺进行MEMS惯性传感器的多层结构封装，实现MEMS惯性传感器的晶圆级封装。
本发明授权一种带隔离槽的晶圆级MEMS惯性传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带隔离槽的晶圆级MEMS惯性传感器，其特征在于，所述MEMS惯性传感器包括从下到上依次设置的衬底层、MEMS惯性传感器结构层和盖板；所述衬底层的上表面开设有多个第一凹槽；所述第一凹槽的位置开设有贯穿所述衬底层的隔离槽，所述隔离槽内填充有隔离材料；所述MEMS惯性传感器结构层上开设有贯穿所述MEMS惯性传感器结构层的多个通孔，作为悬动结构；所述盖板的下表面开设有第二凹槽，所述第二凹槽内吸附有吸气剂材料；所述衬底层的上表面与所述MEMS惯性传感器结构层的下表面采用键合工艺连接，连接后，每个所述第一凹槽与不同的所述通孔正对；所述MEMS惯性传感器结构层的上表面与所述盖板的下表面通过键合工艺连接，连接后，所述第二凹槽覆盖所述MEMS惯性传感器结构层上的所有通孔。
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