深圳市业展电子有限公司李智德获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市业展电子有限公司申请的专利薄膜电阻结构及其加工方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119132764B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411293913.7，技术领域涉及：H01C7/00；该发明授权薄膜电阻结构及其加工方法是由李智德;胡紫阳;程子鹏设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜电阻结构及其加工方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种薄膜电阻结构及其加工方法，薄膜电阻结构包括本体和设置在本体上的焊盘取样点、调阻结构及导流结构，其中调阻结构包括调阻缺口，导流结构包括多排引导槽口，引导槽口按照导流路径的延伸方向布设，使得电流更为均匀地分布在本体各处，减少电流聚集在调阻缺口附近的情况，从而改善调阻缺口附近局部发热严重的情形，提升产品的稳定性和精确性。
本发明授权薄膜电阻结构及其加工方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜电阻结构，其特征在于，包括： 本体，呈片状设置； 焊盘取样点，设置在所述本体上，包括呈间隔设置的第一焊盘和第二焊盘，所述本体上形成连通所述第一焊盘和所述第二焊盘的导流路径； 调阻结构，设置在所述本体上，所述调阻结构包括开设于所述本体上的调阻缺口，所述调阻缺口至少部分地设置在所述第一焊盘和所述第二焊盘之间，以使得所述导流路径呈围绕所述调阻缺口的弯折状延伸设置；以及， 导流结构，包括多排引导槽口，各排所述引导槽口中，多个所述引导槽口沿第一方向呈间隔分布，多排所述引导槽口在第二方向上呈并排设置，其中，第一方向与所述导流路径的延伸方向相同，第二方向垂直于第一方向，各排所述引导槽口中，在第一方向上相邻的两个所述引导槽口之间的最小间距为D1，在第二方向上相邻的两排所述引导槽口之间的最小间距为D2，D1小于D2； 其中，所述导流结构还包括阻断缺口，所述阻断缺口程环绕于所述导流路径的外周设置，且其长度方向与所述导流路径的延伸方向相同,所述阻断缺口中设置有多个加强肋，各所述加强肋沿所述阻断缺口的宽度方向延伸，且多个所述加强肋沿所述阻断缺口的长度方向间隔分布。
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