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电子科技大学屈世伟获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种改善强耦合相控阵截断效应的边沿加载结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119297598B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411278365.0,技术领域涉及:H01Q3/34;该发明授权一种改善强耦合相控阵截断效应的边沿加载结构是由屈世伟;范成龙;李鹏发;杨仕文;胡俊设计研发完成,并于2024-09-12向国家知识产权局提交的专利申请。

一种改善强耦合相控阵截断效应的边沿加载结构在说明书摘要公布了:该发明公开了一种改善强耦合相控阵截断效应的边沿加载结构,属于天线工程技术领域。该边沿加载结构由介质基板、半蝶形金属贴片、加载电阻的T型金属贴片构成。与阵列边沿单元相连的半蝶形金属贴片,在工作频带的高频段引导电磁波以行波形式辐射,在低频段与阵列边沿单元偶极子臂和地板一同构成单偶极子天线;加载电阻的T形金属贴片为半蝶形金属贴片提供一条到地的回路,吸收多余未被辐射的能量;本发明具有结构简单、易于加工、重量轻的优点。在实施例中,设计了一款32单元的强耦合两列线阵,对比加载本发明所述结构前后阵列单元的侧射和E面60°扫描时的有源驻波比,可以得知所提出结构对强耦合相控阵的截断效应有显著改善作用。

本发明授权一种改善强耦合相控阵截断效应的边沿加载结构在权利要求书中公布了:1.一种改善强耦合相控阵截断效应的边沿加载结构,该边沿加载结构设置在阵列天线相邻两行的末端,该阵列天线中各行天线贴片单独设置一片介质基板,各介质基板竖直设置于金属地板上;所述边沿加载结构包括:第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、第一半蝶形金属贴片、第二半蝶形金属贴片、T形接地金属贴片、电阻、金属地板; 第一介质基板与阵列天线相邻两行的其中一行的介质基板一体化,第二介质基板与阵列天线相邻两行的其中另一行的介质基板一体化;第一半蝶形金属贴片设置于第一介质基板上,一端与对应位置处阵列天线的耦合贴片相连;第二半蝶形金属贴片设置于第二介质基板上,一端与对应位置处阵列天线的耦合贴片相连;边沿加载结构的金属地板与阵列天线的金属地板为同一块;第三介质基板的两侧边连接第一介质基板和第二介质基板,第三介质基板垂直于金属地板,所述T形接地金属贴片的“一”形部位的两端分别连接第一半蝶形金属贴片和第二半蝶形金属贴片的另一端;T形接地金属贴片的“1”形部位的底端连接电阻的一端,电阻的另一端连接金属地板。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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