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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种非制冷高性能红外探测器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222978944U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422214637.2，技术领域涉及：G01J5/20；该实用新型一种非制冷高性能红外探测器是由雷威;徐晓宝;李青;赵志伟;吴忠;朱卓娅;陈静设计研发完成，并于2024-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种非制冷高性能红外探测器在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种非制冷高性能红外探测器。由窄带隙半导体pn结红外传感单元和场致发射真空间隙构成，在pn结的左端设置左端金属电极，在pn结的右端设置一个厚度很薄的真空间隙，在真空间隙的右端设置右端金属电极；在pn结的右端面设置纳米结构；在左端电极和右端电极之间设置偏置电源，并读取红外探测电流。本实用新型由于引入了绝缘性很高的真空间隙，所以可以极大地抑制窄带隙半导体中环境温度引起的暗电流和噪声电流，可以在非制冷工作条件下获得高信噪比、高比探测度的红外探测。另外，本实用新型提出在pn结右端面设置金属或者半导体纳米结构，增强了真空间隙的场发射效应，它还提高了红外探测的响应度。

本实用新型一种非制冷高性能红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种非制冷高性能红外探测器，其特征在于，包括由窄带隙半导体pn结构成的红外传感单元和场致发射真空间隙，红外传感单元和场致发射真空间隙串联连接，红外传感单元吸收红外入射光子并产生光生载流子；场致发射真空间隙阻挡窄带隙半导体由于环境温度产生的热噪声电流，将光生载流子转换为真空场发射电流，并形成探测信号； 红外传感单元为能量带隙小于1.4eV的光电导半导体，通过掺杂在左端形成n型层，右端形成p型层；为了施加偏置电压和收集探测电流，在n型层左端沉积左端金属电极； 在左端金属电极和右端金属电极之间设置偏置电源，并读取探测电流，偏置电源对窄带隙半导体pn结传感单元施加正向偏置电场； 场致发射真空间隙包括纳米结构、真空间隙和右端金属电极；p型层右端设置右端金属电极，右端金属电极与p型层右端之间设有间隙；通过透明管壳将pn结传感单元和右端金属电极装架到一起，使p型层右端和右端金属电极之间形成真空间隙；在p型层右端设置纳米结构，提高其场致发射能力； 窄带隙半导体pn结传感单元的能量带隙小于入射红外光子能量，入射红外光子被吸收，并通过光电效应产生电子空穴对； p型层右端和右端金属电极之间的间隙厚度≤100nm。

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