荣芯半导体(淮安)有限公司谭国平获国家专利权
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龙图腾网获悉荣芯半导体(淮安)有限公司申请的专利一种冷阱装置及气相沉积设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222975288U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422182548.4,技术领域涉及:C23C16/455;该实用新型一种冷阱装置及气相沉积设备是由谭国平设计研发完成,并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种冷阱装置及气相沉积设备在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种冷阱装置,包括:壳体,所述壳体上设置有进气口和出气口,所述进气口至所述出气口之间形成有空腔;滤片结构,设置在所述空腔内,所述滤片结构用于引导气体流动和或使气体在所述滤片结构的表面结晶;网状结构,设置在所述滤片结构与所述出气口之间,所述网状结构用于使气体通过并避免固体通过。根据本实用新型提供的冷阱装置及气相沉积设备,通过在壳体形成的进气口至出气口之间的空腔内设置用于引导气体流动和或使气体在其的表面结晶的滤片结构,并在滤片结构和出气口之间设备仅供气体经过且避免固体通过的网状结构,提高沉积薄膜的质量和制程的稳定性。
本实用新型一种冷阱装置及气相沉积设备在权利要求书中公布了:1.一种冷阱装置,其特征在于,包括: 壳体,所述壳体上设置有进气口和出气口,所述进气口至所述出气口之间形成有空腔; 滤片结构,设置在所述空腔内,所述滤片结构用于引导气体流动和或使气体在所述滤片结构的表面结晶; 网状结构,设置在所述滤片结构与所述出气口之间,所述网状结构用于使气体通过并避免固体通过。
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