拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司王新宇获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利具有多区温度补偿的加热盘及半导体设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222980467U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422080087.X，技术领域涉及：H01L21/67；该实用新型具有多区温度补偿的加热盘及半导体设备是由王新宇;赵聪;吕志鹏;许龙旭设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有多区温度补偿的加热盘及半导体设备在说明书摘要公布了：本实用新型公开了具有多区温度补偿的加热盘及半导体设备，加热盘包括相互叠合的上板和下板，上板的叠合面上开设有用于安置加热丝的凹槽，其特征在于：上板的叠合面上设有由多个形状不同的子区域合并成的加热区域；凹槽在加热区域的多个子区域中呈现不同的排布密度和或排布路径。本实用新型对上板的加热结构进行改进，使其可以补偿工艺腔室环境存在温差，从而保证晶圆薄膜质量。具体可按照不同的温度范围需求将上板的加热区域分区为多个子区域，并设定每一子区域中凹槽的排布密度和或排布路径，也即设定每一子区域中的加热丝的排布密度和或排布路径，加热丝的不同排布密度和或排布路径会使得产生的加热温度不同，从而实现局部的温差补偿。
本实用新型具有多区温度补偿的加热盘及半导体设备在权利要求书中公布了：1.一种具有多区温度补偿的加热盘，包括相互叠合的上板和下板，所述上板的叠合面上开设有用于安置加热丝的凹槽，其特征在于： 所述上板的叠合面上设有由多个形状不同的子区域合并成的加热区域； 所述凹槽在所述加热区域的多个子区域中呈现不同的排布密度和或排布路径。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司，其通讯地址为：110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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