拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司陈庆尧获国家专利权
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龙图腾网获悉拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司申请的专利一种气体混合装置及半导体加工设备获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222969586U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421992209.6,技术领域涉及:B01F23/10;该实用新型一种气体混合装置及半导体加工设备是由陈庆尧;吴凤丽;刘振设计研发完成,并于2024-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种气体混合装置及半导体加工设备在说明书摘要公布了:本实用新型公开了一种气体混合装置及半导体加工设备,气体混合装置包括:混合仓体,一端设有用于接收多种气体的输入端,另一端设有用于输出经混合的多种气体的输出端;混气件,设置于混合仓体内,且一侧与输入端间隔有第一缓冲区;匀气件,设置于混合仓体内,且一侧与混气件的另一侧间隔有第二缓冲区,另一侧与输出端间隔有储存区;其中,第一缓冲区的空间形状沿气体流向呈锥形发散设置,储存区的空间形状沿气体流向呈锥形聚拢设置。本实用新型将第一缓冲区和储存区的空间形状设计成锥形,可防止气体流动过程中形成涡流和死区,也能起到防止气体反流效果。多种气体经过混气件进行混合后再经过匀气件进行匀气,可使得混合后的混合气体更加均匀。
本实用新型一种气体混合装置及半导体加工设备在权利要求书中公布了:1.一种气体混合装置,其特征在于,包括: 混合仓体,一端设有用于接收多种气体的输入端,另一端设有用于输出经混合的多种气体的输出端; 混气件,设置于所述混合仓体内,且一侧与所述输入端间隔有第一缓冲区; 匀气件,设置于所述混合仓体内,且一侧与所述混气件的另一侧间隔有第二缓冲区,另一侧与所述输出端间隔有储存区; 其中,所述第一缓冲区的空间形状沿气体流向呈锥形发散设置,所述储存区的空间形状沿气体流向呈锥形聚拢设置。
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