湖北九峰山实验室石正雨获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种MEMS芯片获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222981670U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421990182.7,技术领域涉及:H04R19/00;该实用新型一种MEMS芯片是由石正雨;朱莉莉;黄湘俊;胡绍璐设计研发完成,并于2024-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种MEMS芯片在说明书摘要公布了:本实用新型涉及一种MEMS芯片,包括:基底;传感器,其包括背板和分别位于背板两侧的第一振膜和第二振膜,第一振膜和第二振膜之间通过多个连接柱连接;连接结构,连接基底和传感器,使背板与基底相对固定,并使第一振膜和第二振膜可相对基底振动,连接结构包括与背板平行的第一连接板,第一连接板呈环状环绕在第一振膜外并与第一振膜连接,第一连接板上环绕第一振膜开设有隔离槽,隔离槽内填充有绝缘材料形成隔离环,隔离环使第一振膜和第一连接板位于隔离槽外侧的部分形成绝缘,基底位于第一连接板远离第二振膜一侧,第一连接板位于隔离槽外侧的部分与基底连接。本申请可降低第一振膜和基底之间产生的寄生电容,提高传感器的灵敏度,提高MEMS芯片的灵敏度。
本实用新型一种MEMS芯片在权利要求书中公布了:1.一种MEMS芯片,其特征在于,包括: 基底1; 传感器2,其包括背板21和分别位于所述背板21两侧的第一振膜22和第二振膜23,所述第一振膜22和所述第二振膜23分别与背板21间隔设置,所述第一振膜22和所述第二振膜23的边沿密封连接,所述第一振膜22和所述第二振膜23之间形成低压密封空腔,所述背板21位于低压密封空腔内,所述第一振膜22和所述第二振膜23之间通过多个连接柱24连接,所述连接柱24穿过背板21,多个连接柱24在背板21平面内间隔分布,背板21上开设供连接柱24穿过的通孔; 连接结构3,其连接所述基底1和所述传感器2,使所述背板21与所述基底1相对固定,并使所述第一振膜22和所述第二振膜23可相对所述基底1振动,所述连接结构3包括与背板21平行的第一连接板31,所述第一连接板31呈环状环绕在所述第一振膜22外并与所述第一振膜22连接,所述第一连接板31上环绕所述第一振膜22开设有隔离槽311,所述隔离槽311内填充有绝缘材料形成隔离环38,所述隔离环38使所述第一振膜22和所述第一连接板31位于所述隔离槽311外侧的部分形成绝缘,所述基底1位于所述第一连接板31远离所述第二振膜23一侧,所述第一连接板31位于所述隔离槽311外侧的部分与所述基底1连接。
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