台湾积体电路制造股份有限公司李峻霣获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利自旋电子装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222981901U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421968406.4，技术领域涉及：H10D30/60；该实用新型自旋电子装置是由李峻霣;吴俞叡;刘家佑;戴嘉泽;李宗颖设计研发完成，并于2024-08-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本自旋电子装置在说明书摘要公布了：一种自旋电子装置，包含基板、Ge1‑xSnx通道层、Ge1‑ySny屏障层、第一开口、第二开口、第一源漏极电极、第二源漏极电极及第一栅极电极。Ge1‑xSnx通道层位于基板上，其中Ge1‑xSnx通道层处于介稳态中。Ge1‑ySny屏障层位于Ge1‑xSnx通道层上，使得Ge1‑xSnx通道层中形成二维空穴气体。第一开口位于Ge1‑xSnx通道层及Ge1‑ySny屏障层中。第二开口位于Ge1‑xSnx通道层及Ge1‑ySny屏障层中。第一源漏极电极位于第一开口内。第二源漏极电极位于第二开口内。第一栅极电极位于Ge1‑ySny屏障层上。
本实用新型自旋电子装置在权利要求书中公布了：1.一种自旋电子装置，其特征在于，包含: 一基板； 一Ge1-xSnx通道层，位于该基板上，其中该Ge1-xSnx通道层处于一介稳态中； 一Ge1-ySny屏障层，位于该Ge1-xSnx通道层上，使得该Ge1-xSnx通道层中形成一二维空穴气体； 一第一开口，位于该Ge1-xSnx通道层及该Ge1-ySny屏障层中； 一第二开口，该Ge1-xSnx通道层及该Ge1-ySny屏障层中； 一第一源漏极电极，位于该第一开口内； 一第二源漏极电极，位于该第二开口内；以及 一第一栅极电极，位于该Ge1-ySny屏障层上。
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