上海安世博能源科技有限公司王越天获国家专利权
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龙图腾网获悉上海安世博能源科技有限公司申请的专利一种磁性元件及用于交错并联反激变换器的拓扑结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222980274U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421846419.4，技术领域涉及：H01F27/26；该实用新型一种磁性元件及用于交错并联反激变换器的拓扑结构是由王越天;宋海斌;徐海瑞设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种磁性元件及用于交错并联反激变换器的拓扑结构在说明书摘要公布了：本申请提供了一种磁性元件及用于交错并联反激变换器的拓扑结构，涉及电力电子技术领域，磁性元件包括：磁芯结构和线圈结构，其中：磁芯结构包括相对设置的上磁芯底座和下磁芯底座以及设置于上磁芯底座和下磁芯底座之间的N个磁芯中柱和至少一个边柱，N为大于1的自然数；线圈结构包括N个分别缠绕在各磁芯中柱上的线圈，其中：相邻磁芯中柱上的线圈的绕线方向相反，磁芯中柱的上底面与上磁芯底座之间、磁芯中柱的下底面与下磁芯底座之间及磁芯中柱的侧面三个位置中的至少一个位置开设有气隙。本申请的磁性元件，通过将磁芯柱集成在同一个磁芯底座上，以及设置相邻磁芯中柱的线圈绕线方向相反，能够达到减轻磁芯重量以及降低磁芯损耗的目的。
本实用新型一种磁性元件及用于交错并联反激变换器的拓扑结构在权利要求书中公布了：1.一种磁性元件，其特征在于，包括磁芯结构和线圈结构，其中： 所述磁芯结构包括相对设置的上磁芯底座和下磁芯底座以及设置于所述上磁芯底座和所述下磁芯底座之间的N个磁芯中柱和至少一个边柱，N为大于1的自然数； 所述线圈结构包括N个分别缠绕在各所述磁芯中柱上的线圈，其中： 相邻所述磁芯中柱上的线圈的绕线方向相反； 所述磁芯中柱的上底面与上磁芯底座之间、所述磁芯中柱的下底面与下磁芯底座之间及所述磁芯中柱的侧面三个位置中的至少一个位置开设有气隙。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海安世博能源科技有限公司，其通讯地址为：201313 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区宏祥北路83弄1-42号20幢118室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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