广东先导微电子科技有限公司张浩获国家专利权
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龙图腾网获悉广东先导微电子科技有限公司申请的专利一种低位错单晶生长装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222975345U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421830709.X，技术领域涉及：C30B11/00；该实用新型一种低位错单晶生长装置是由张浩;易明辉;潘英华;张汪阳设计研发完成，并于2024-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低位错单晶生长装置在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种低位错单晶生长装置，包括固定架、单晶炉、底座、载物台、同心圆件、第一调节组件以及第二调节组件，单晶炉包括炉体以及石英管组件，石英管组件设置于炉体内，固定架安装于底座上，且固定架围合形成有通过单晶炉安装的容置空间，第一调节组件的一端穿过底座伸入容置空间，且与载物台连接，以调节载物台的高度，第二调节组件的一端穿过底座伸入容置空间，且与同心圆件连接，以调节同心圆件的高度，同心圆件位于容置空间的中心。本实用新型通过同心圆件实现对石英管组件的对中，确保石英管组件直立于炉体的中间，确保石英管组件里面的料受热均匀，来减小晶体生长过程中的热应力，从而减少位错的生成，提高单晶的成晶率。
本实用新型一种低位错单晶生长装置在权利要求书中公布了：1.一种低位错单晶生长装置，其特征在于，包括固定架、单晶炉、底座、载物台、同心圆件、第一调节组件以及第二调节组件，所述单晶炉包括炉体以及石英管组件，所述石英管组件设置于所述炉体内，所述固定架安装于所述底座上，且所述固定架围合形成有通过所述单晶炉安装的容置空间，所述第一调节组件的一端穿过所述底座伸入所述容置空间，且与所述载物台连接，以调节所述载物台的高度，所述第二调节组件的一端穿过所述底座伸入所述容置空间，且与所述同心圆件连接，以调节所述同心圆件的高度，所述同心圆件位于所述容置空间的中心。
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