台湾积体电路制造股份有限公司林弘德获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222980505U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421746048.2，技术领域涉及：H01L23/58；该实用新型半导体结构是由林弘德设计研发完成，并于2024-07-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：范例半导体结构包含大块基板及绝缘层上硅基板。大块基板具有顶面，而绝缘层上硅基板融合入大块基板中。绝缘层上硅基板还包含重掺杂层、绝缘层以及主动基板。绝缘层设置在重掺杂层上且被重掺杂层围绕，而主动基板设置在绝缘层上且被绝缘层围绕。半导体结构还包含一或多个半导体装置、周边重掺杂区以及放电金属结构一或多个半导体装置，设置在主动基板中，周边重掺杂区连接到重掺杂层，且放电金属结构将一或多个半导体装置和周边重掺杂区电性互连。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 一大块基板，具有一顶面； 一绝缘层上硅silicon-on-insulator，SOI基板，融合入该大块基板中，该绝缘层上硅基板还包含： 一重掺杂层，包含： 一底部，沿水平方向延伸；以及 一侧部，沿周边自一顶端部以向下的方向延伸至一底端部，其中 该顶端部连接该大块基板的该顶面，且该底端部连接该底部； 一绝缘层，设置于该重掺杂层上且被该重掺杂层围绕；以及 一主动基板，设置于该绝缘层上且被该绝缘层围绕，其中该主动基板被该绝缘层及该重掺杂层隔绝，并具有一顶面与该大块基板的该顶面共面； 一或多个半导体装置，设置于该主动基板中； 一周边重掺杂区，与该重掺杂层的该侧部的该顶端部连接并自该重掺杂层的该侧部的该顶端部水平地延伸；以及 一放电金属结构，将该一或多个半导体装置与该周边重掺杂区电性互连。
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