买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉化合积电(厦门)半导体科技有限公司申请的专利金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118888524B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410959903.6，技术领域涉及：H01L23/373；该发明授权金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用是由陈祺;张星设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种金刚石单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用。所述金刚石单晶硅复合立体基板包括单晶硅基底和设置在单晶硅基底上的金刚石层，所述金刚石层远离所述单晶硅基底的一侧表面上形成有微纳结构，所述微纳结构包括间隔分布的多个凸起部。本发明所提供的金刚石单晶硅复合立体基板通过结合金刚石层和单晶硅基底形成复合立体基板，金刚石层用于实现高效率散热，单晶硅基底用于制备硅基器件，并且在金刚石层的表面设置了多个凸起部形成的微纳结构，进一步提高散热效率，从而极大地改善了对GPU等高发热率器件的散热性能，提高了器件的运算性能和寿命，降低了单位算力的成本。

本发明授权金刚石/单晶硅复合立体基板、其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种金刚石单晶硅复合立体基板，其特征在于，包括单晶硅基底和设置在单晶硅基底上的金刚石层，所述金刚石层远离所述单晶硅基底的一侧表面上形成有微纳结构，所述微纳结构包括间隔分布的多个凸起部； 沿自所述金刚石层的中心指向所述单晶硅基底的中心的第一方向，所述单晶硅基底依次包括第一硅层和第二硅层，所述第一硅层具有相互背对的第一面和第二面，所述金刚石层在所述第一面上原位形成，所述第二面与所述第二硅层产生硅-硅键合；所述第一硅层为一硅片经减薄处理形成的，厚度为20～30μm；所述第二硅层包括至少一完整的硅片，且该硅片与所述第一硅层直接键合；所述金刚石层的厚度为100μm～2mm；所述凸起部的高度为所述金刚石层厚度的5％-50％，直径为1-100μm； 沿自所述金刚石层的中心指向边缘的第二方向，多个所述凸起部的高度相等，直径逐渐减小，且相邻所述凸起部的间距逐渐增大；在所述第一方向上，若定义任意两个相邻的所述凸起部中，相对靠近金刚石层中心的凸起部的直径为Rx，相对远离金刚石层中心的凸起部的直径为Ry，两个凸起部的间距为D，则： Ry＝Rx×α×L2L+D2； D＝D1+β×L； 其中，α表示直径比例系数；β表示间距比例系数；D1表示上一相邻的两个凸起部之间的间距；L表示相对靠近金刚石层中心的凸起部的中心与所述金刚石层的中心的距离； α＝exp-HSi1-HSi2HSi2×HbHd+Hb； 其中，Hd为所述金刚石层的厚度，Hb为所述凸起部的高度，HSi1为作为金刚石层原位生长基底的第一硅层在减薄前的厚度，HSi1为所述第一硅层在减薄后的厚度；β为定值，取值范围为0.01-0.05。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人化合积电(厦门)半导体科技有限公司，其通讯地址为：361000 福建省厦门市集美区灌口镇灌口大道253号10号楼201室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。