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泉州信息工程学院马天军获国家专利权

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龙图腾网获悉泉州信息工程学院申请的专利MEMS气体传感器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN222979513U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202421483320.2,技术领域涉及:G01N27/12;该实用新型MEMS气体传感器是由马天军;李娜;孙建海;薛宁;张淼;程建群;孙旭光;方刚设计研发完成,并于2024-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

MEMS气体传感器在说明书摘要公布了:本申请提供了一种MEMS气体传感器,MEMS气体传感器包括硅衬底、支撑层、加热元件、隔离层、测试元件和气敏元件,硅衬底包括正面、以及背离正面的背面,正面设有隔热腔,背面设有镂空的聚热腔,隔热腔和聚热腔连通,硅衬底还包括隔热腔相对设置的第一腔壁和第二腔壁;支撑层连接于第一腔壁和第二腔壁之间并位于隔热腔,且支撑层将隔热腔和聚热腔隔离;加热元件设置于支撑层并位于隔热腔内;隔离层覆盖于支撑层并覆盖加热元件,隔离层平行于支撑层;测试元件设置于隔离层背离加热元件的一面;气敏元件设置于测试元件背离隔离层的一面。

本实用新型MEMS气体传感器在权利要求书中公布了:1.一种MEMS气体传感器,其特征在于,所述MEMS气体传感器包括: 硅衬底,包括正面、以及背离所述正面的背面,所述正面设有隔热腔,所述背面设有镂空的聚热腔,所述隔热腔和所述聚热腔连通,所述硅衬底还包括所述隔热腔相对设置的第一腔壁和第二腔壁; 支撑层,连接于所述第一腔壁和所述第二腔壁之间并位于所述隔热腔,且所述支撑层将所述隔热腔和所述聚热腔隔离; 加热元件,设置于所述支撑层并位于所述隔热腔内; 隔离层,覆盖于所述支撑层并覆盖所述加热元件,所述隔离层平行于所述支撑层; 测试元件,设置于所述隔离层背离所述加热元件的一面;以及 气敏元件,设置于所述测试元件背离所述隔离层的一面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人泉州信息工程学院,其通讯地址为:362000 福建省泉州市丰泽区博东路249号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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