江西晶弘新材料科技有限责任公司郭晓泉获国家专利权
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龙图腾网获悉江西晶弘新材料科技有限责任公司申请的专利基于覆铜陶瓷基板的IGBT封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222980493U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421472447.4，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型基于覆铜陶瓷基板的IGBT封装结构是由郭晓泉;孔仕进设计研发完成，并于2024-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于覆铜陶瓷基板的IGBT封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开一种基于覆铜陶瓷基板的IGBT封装结构，包括有散热底座、第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、凝胶层以及环氧树脂层；该散热底座具有一开口朝上的容置腔；该第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板均焊接固定在容置腔的底面上；该半导体芯片焊接在第一覆铜陶瓷基板上并与第一覆铜陶瓷基板上的线路导通连接，通过采用散热底座，散热底座上具有容置腔，并配合利用凝胶层和环氧树脂层将第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板和半导体芯片很好地密封在容置腔中，密封效果更好，完全满足防水要求，同时散热底座可以很好地进行散热，散热效果更佳，产品的应用范围更广。
本实用新型基于覆铜陶瓷基板的IGBT封装结构在权利要求书中公布了：1.一种基于覆铜陶瓷基板的IGBT封装结构，其特征在于：包括有散热底座、第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板、半导体芯片、功率电极、控制电极、凝胶层以及环氧树脂层；该散热底座具有一开口朝上的容置腔；该第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板均焊接固定在容置腔的底面上；该半导体芯片焊接在第一覆铜陶瓷基板上并与第一覆铜陶瓷基板上的线路导通连接，且半导体芯片通过键合铝线与第二覆铜陶瓷基板上线路导通连接；该功率电极焊接在第一覆铜陶瓷基板上并与第一覆铜陶瓷基板上的线路导通连接，功率电极向上伸出容置腔；该控制电极焊接在第二覆铜陶瓷基板上并与第二覆铜陶瓷基板上的线路导通连接，控制电极向上伸出容置腔；该凝胶层填充成型在容置腔中，凝胶层密封盖住第一覆铜陶瓷基板、第二覆铜陶瓷基板和半导体芯片；该环氧树脂层填充成型在容置腔中并叠合在凝胶层上，该功率电极和控制电极均穿过凝胶层和环氧树脂层向上伸出容置腔。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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