苏州旭创科技有限公司卢莹获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州旭创科技有限公司申请的专利InAs量子点激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676737B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411158531.3，技术领域涉及：H01S5/34；该发明授权InAs量子点激光器及其制备方法是由卢莹;程宁设计研发完成，并于2024-08-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本InAs量子点激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种InAs量子点激光器及其制备方法。InAs量子点激光器包括依次层叠的GaAs衬底、下包覆层、多个InAs量子点有源区和上包覆层；各InAs量子点有源区包括依次层叠的第一InGaAs量子井层、量子点层、第二InGaAs量子井层以及GaAs间隔层；其中，量子点层中无掺杂源，各InAs量子点有源区的GaAs间隔层的平均厚度为10~50nm。本申请中量子点层中无掺杂源，通过合理控制各GaAs间隔层的平均厚度，使得量子点的均匀性逐渐提升，线展宽因子降低，激光器的抗反射性能就更强。其中，抗反射性能至少可以提升至‑10dB以上，如此就能够将光模块中的隔离器移除，以解决具有隔离器的光模块导致体积大、成本高、集成度低的技术问题。
本发明授权InAs量子点激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种InAs量子点激光器，其特征在于，包括依次层叠的GaAs衬底、下包覆层、多个InAs量子点有源区和上包覆层； 所述多个InAs量子点有源区层叠设置，各所述InAs量子点有源区均包括依次层叠的第一InGaAs量子井层、量子点层、第二InGaAs量子井层以及GaAs间隔层； 其中，所述量子点层中无掺杂源，各所述InAs量子点有源区的GaAs间隔层的平均厚度为10~50nm； 在远离所述GaAs衬底的方向上，各个所述GaAs间隔层的厚度逐渐增大； 所述第一InGaAs量子井层的厚度为1~3nm，所述量子点层的厚度为2.5~3.5nm，所述第二InGaAs量子井层的厚度为3~10nm。
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