重庆云潼科技有限公司颜荨获国家专利权
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龙图腾网获悉重庆云潼科技有限公司申请的专利一种应用于MOS器件的双脉冲测试电路获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222994601U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421841405.3，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种应用于MOS器件的双脉冲测试电路是由颜荨;廖光朝;胡绍国设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于MOS器件的双脉冲测试电路在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种应用于MOS器件的双脉冲测试电路，包括：驱动电路、测试电路，驱动电路和测试电路设于同一测试电路板上，驱动电路的一端与第二被测MOS管Q5的栅极连接，驱动电路的另一端与外部信号发生器连接用于接收信号；第二被测MOS管Q5与电源VCC之间串联有第二被测MOS管Q4，第二被测MOS管Q4的源极与第二被测MOS管Q5的漏极连接，第二被测MOS管Q4与第二被测MOS管Q5设于同一被测电路板上；测试电路的一端电源VCC连接，测试电路的另一端接地，测试电路与第二被测MOS管Q5并联；在测试过程中，通过PCB与PCB板连接的方式，即测试电路板和被测电路板的连接方式，缩小了驱动信号与被测MOS管和被测电路间的回路，减小产生的干扰震荡。
本实用新型一种应用于MOS器件的双脉冲测试电路在权利要求书中公布了：1.一种应用于MOS器件的双脉冲测试电路，其特征在于，包括： 驱动电路和测试电路，驱动电路和测试电路设于同一测试电路板上，驱动电路的一端与外部信号发生器连接用于接收信号，驱动电路的另一端用于与被测电路板连接，并结合测试电路形成双模脉冲测试电路；其中，被测电路板包括：第一被测MOS管Q4、第二被测MOS管Q5和线路板，第一被测MOS管Q4和第二被测MOS管Q5集成于线路板上，驱动电路的一端与第二被测MOS管Q5的栅极连接； 测试电路包括能量消耗电路，能量消耗电路的一端电源VCC连接，能量消耗电路的另一端接地，能量消耗电路与第二被测MOS管Q5并联。
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