思特威(上海)电子科技股份有限公司张津铭获国家专利权
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龙图腾网获悉思特威(上海)电子科技股份有限公司申请的专利一种半导体结构、图像传感器及电子设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222996967U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421351556.0，技术领域涉及：H10F39/12；该实用新型一种半导体结构、图像传感器及电子设备是由张津铭;王文轩;冯子健设计研发完成，并于2024-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构、图像传感器及电子设备在说明书摘要公布了：本实用新型描述了一种用于图像传感器的半导体结构，包括：半导体基底，设置有按行方向及列方向分布的若干像素单元，像素单元包括以n×n结构布局且具有相同颜色的像素块，其中，n为大于等于2的整数；电容层，位于半导体基底上方，电容层设置有若干与像素单元相对应的溢出电容，以收集像素单元溢出的电荷；其中，溢出电容包含相邻设置的第一类电容和第二类电容，第一类电容的延伸方向与第二类电容的延伸方向呈角度X，且45°≤X≤90°。在本申请中，通过设置延伸方向不同的第一类电容220和第二类电容230，使得两种溢出电容的应力方向不同，进而缓解由于应力过大导致晶圆翘曲的问题，来提升图像传感器的性能。
本实用新型一种半导体结构、图像传感器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种用于图像传感器的半导体结构，其特征在于，包括： 半导体基底，设置有按行方向及列方向分布的若干像素单元，所述像素单元包括以n×n结构布局且具有相同颜色的像素块，其中，n为大于等于2的整数； 电容层，位于所述半导体基底上方，所述电容层设置有若干与所述像素单元相对应的溢出电容，以收集所述像素单元溢出的电荷； 其中，所述溢出电容包含相邻设置的第一类电容和第二类电容，所述第一类电容的延伸方向与所述第二类电容的延伸方向呈角度X，且45°≤X≤90°。
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