北京怀柔实验室魏晓光获国家专利权
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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利电极、其制造方法及包括其的功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118676086B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410740015.5，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权电极、其制造方法及包括其的功率半导体器件是由魏晓光;林仲康;唐新灵;代安琪;王亮;杜玉杰;石浩;郝炜;高佳敏设计研发完成，并于2024-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本电极、其制造方法及包括其的功率半导体器件在说明书摘要公布了：一种用于功率半导体器件的电极、其制造方法及功率半导体器件。电极包括电极主体和盖板；电极主体设有间隔开的多个盲孔，盲孔的开口端位于电极主体的上表面，每个盲孔内设有一个毛细微管，并且盲孔内容纳有冷却介质；盖板设置在电极主体的上表面上，以密封地覆盖盲孔。通过用于功率半导体器件的电极、其制造方法及功率半导体器件，实现提高器件电极的传热效率，降低器件结壳热阻，使得器件工作时芯片结温更低，提升器件额定通流能力的目的。
本发明授权电极、其制造方法及包括其的功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种用于功率半导体器件的电极（10），其特征在于，所述电极（10）包括电极主体（11）和盖板（44）； 电极主体（11）设有间隔开的多个盲孔（42），盲孔（42）的开口端位于电极主体（11）的上表面，每个盲孔（42）内设有一个毛细微管（43），并且盲孔（42）内容纳有冷却介质； 盖板（44）设置在电极主体（11）的上表面上，以密封地覆盖盲孔（42）； 电极（10）还包括管壳法兰（12），管壳法兰（12）连接在电极主体（11）的侧壁台阶处； 其中，用于功率半导体器件的电极（10）的制造方法包括以下步骤： 加工电极主体（11）及管壳法兰（12）； 对电极主体（11）与管壳法兰（12）进行第一次焊接； 组装毛细微管（43）与电极主体（11）； 对电极主体（11）与盖板（44）进行二次焊接，所述二次焊接的焊接温度低于第一次焊接的温度。
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