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龙图腾网获悉河源市众拓光电科技有限公司申请的专利一种垂直结构LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117525240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311701818.1，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权一种垂直结构LED芯片是由李国强;劳亦敏设计研发完成，并于2023-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种垂直结构LED芯片在说明书摘要公布了：本申请涉及LED芯片技术领域，具体提供了一种垂直结构LED芯片，包括：依次连接的衬底层、N型导电金属层、绝缘层、P型导电金属层、p‑GaN层、InGaNGaN多量子阱层和n‑GaN层，绝缘层包括多个贯穿P型导电金属层、p‑GaN层和InGaNGaN多量子阱层的通孔，N型导电金属层通过通孔与n‑GaN层连接；两个P电极，对称设置在P型导电金属层的边缘中心；该芯片能够有效地解决由于两个P电极对称设置在垂直结构LED芯片的两边交汇处，P电极到LED芯片的两个侧边的距离不一致而导致靠近P电极的侧边的发光强度低于远离P电极的侧边的发光强度，从而导致垂直结构LED芯片的光斑分布不均匀的问题。

本发明授权一种垂直结构LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，所述垂直结构LED芯片包括： 依次连接的衬底层、N型导电金属层、绝缘层、P型导电金属层、p-GaN层、InGaNGaN多量子阱层和n-GaN层，所述绝缘层具有多个贯穿所述P型导电金属层、所述p-GaN层和所述InGaNGaN多量子阱层的通孔，多个所述通孔矩形阵列在所述绝缘层上，所述N型导电金属层通过所述通孔与所述n-GaN层连接； 两个P电极，对称设置在所述绝缘层对应的矩形的两个边缘中心; 钝化层； 相邻的所述通孔之间的距离为150μm-250μm,所述通孔的横截面形状为圆环状，所述通孔的内圆的半径为10μm-25μm，所述通孔的高度为1000nm-2000nm; 所述P型导电金属层包括金属保护层和金属反射层，所述金属保护层与所述绝缘层连接，所述金属保护层上设有凹槽，所述金属反射层填充在所述凹槽内，所述p-GaN层与所述金属反射层连接，所述P电极的一端与所述金属保护层连接，所述钝化层与所述金属保护层围合构成密封腔，所述金属反射层、所述p-GaN层、所述InGaNGaN多量子阱层和所述n-GaN层均位于所述密封腔内； 所述P电极顶部与钝化层之间的距离与所述P电极沿竖直方向的剖面宽度的比例为1：5-1:2。

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