上海星思半导体有限责任公司范越获国家专利权
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龙图腾网获悉上海星思半导体有限责任公司申请的专利频偏估算方法、通信设备、电子设备和存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN117749587B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311642612.6,技术领域涉及:H04L27/26;该发明授权频偏估算方法、通信设备、电子设备和存储介质是由范越;曾鹏飞;薛妹设计研发完成,并于2023-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本频偏估算方法、通信设备、电子设备和存储介质在说明书摘要公布了:本发明实施例提供了一种频偏估算方法、通信设备、电子设备和计算机可读存储介质,涉及通信领域。其中,频偏估算方法,包括:获取参考信号在第一OFDM符号对应的多个第一导频子载波的中心频点位置、得到多个第一位置,获取参考信号在第二OFDM符号对应的多个第二导频子载波的中心频点位置、得到多个第二位置;计算第一位置和第二位置的位置差值;根据信道衰落因子、时延参数、以及位置差值计算得到各相互对应的第一位置和第二位置的信道估计值之间的相关值;根据相关值得到参考信号的频偏的估值。与现有技术相比,本发明实施例所提供的频偏估算方法、通信设备、电子设备和计算机可读存储介质具有能够提升偏频估算结果的准确度的优点。
本发明授权频偏估算方法、通信设备、电子设备和存储介质在权利要求书中公布了:1.一种频偏估算方法,其特征在于,所述方法包括: 获取参考信号的多条信号传输路径各自对应的时延参数; 获取各条所述信号传输路径在第一OFDM符号对应的第一信道衰落因子; 获取各条所述信号传输路径在第二OFDM符号对应的第二信道衰落因子; 获取所述参考信号在所述第一OFDM符号对应的多个第一导频子载波的中心频点位置、得到多个第一位置,获取所述参考信号在所述第二OFDM符号对应的多个第二导频子载波的中心频点位置、得到多个第二位置,所述多个第一位置和所述多个第二位置数量相等且一一对应; 计算相互对应的所述第一位置和所述第二位置的位置差值; 根据所述第一信道衰落因子、所述第二信道衰落因子、所述时延参数、以及所述位置差值计算得到各相互对应的所述第一位置的信道估计值和所述第二位置的信道估计值之间的相关值; 根据所述相关值得到所述参考信号的频偏的估值。
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