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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116667145B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310520489.4，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件是由李水清;王星河;刘紫涵;蔡鑫;蒙磊;季徐芳;张会康;黄军;胡志勇设计研发完成，并于2023-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有拓扑声子态层，相比于现有技术，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有拓扑声子态层，拓扑声子态层可调拓扑量子态和声子谱的拓扑相变，改变量子态和晶格振动模式，减弱量子限制斯塔克效应，增强有源层中的电子空穴波函数的辐射复合效率，降低激光器的价带带阶，提升空穴的输运，增强限制因子和电子泄漏，减少内损耗，实现连续振荡，降低激光元件的激发阈值，提升激光元件的光功率和斜率效率。

本发明授权一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有拓扑声子态层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102），有源层（103）、上波导层（104）、电子阻挡层（105）、上限制层（106），其特征在于：有源层（103）与上波导层（104）之间和有源层（103）与下波导层（102）之间设有拓扑声子态层（107）；所述下波导层（102）和上波导层（104）为GaN、InGaN、AlInGaN的任意一种或任意组合，所述拓扑声子态层（107）为BaTiO3、BAs、PbTiO3、FAPbI3、CsPbI3、Bi2O2Se的任意一种或任意组合的二维拓扑超晶格结构；所述有源层（103）为阱层和垒层组成的周期结构，周期数为m，3≥m≥1，阱层为InGaN、InN、AlInN、GaN的任意一种或任意组合，厚度为10~80埃米，垒层为GaN、AlGaN、AlInGaN、AlN、AlInN的任意一种或任意组合，厚度为10~120埃米。

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