安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有热电整流层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116231454B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310252832.1，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种设有热电整流层的半导体激光元件是由李水清;请求不公布姓名;王星河;陈婉君;胡志勇;蔡鑫;刘紫涵;张江勇;陈三喜;季徐芳;蒙磊设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种设有热电整流层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有热电整流层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，衬底与下限制层之间和下限制层与下波导层之间设有热电整流层，热电整流层使垂直其注入的电子和声子态密度重合度产生梯度，声子产生局域化效应，提升声子输运和散热性能，使激光元件具有104以上的电流比和90％以热整流比，提升泵浦能级到激光上能级的耦合率，减少激光能量损失，提升激光元件的温度分布和热应力均匀性，降低激光元件的温度淬灭和激光元件断裂问题，降低激光元件的阈值电流和提升斜率效率，提升激光元件的可靠性和寿命。
本发明授权一种设有热电整流层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有热电整流层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102），有源层（103）、上波导层（104）、电子阻挡层（105）、上限制层（106），其特征在于：衬底（100）与下限制层（101）之间和下限制层（101）与下波导层（102）之间设有热电整流层（107）。
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