安徽格恩半导体有限公司阚宏柱获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有光学偏振插入层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116487998B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310246043.7，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种设有光学偏振插入层的半导体激光元件是由阚宏柱;李水清;请求不公布姓名;王星河;胡志勇;陈婉君;张江勇;蒙磊;季徐芳;陈三喜;刘紫涵;蔡鑫设计研发完成，并于2023-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种设有光学偏振插入层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有光学偏振插入层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，有源层与上波导层之间和有源层与下波导层之间设有光学偏振插入层，光学偏振插入层可实现快速电荷转移，控制有源层发出激光的相位和偏振，实现精准的光学偏振调控，降低光场耗散，抑制光场模式泄漏，同时，改善光学灾变损伤，将垂直横向激光模式转换为单模，抑制垂直方向上的模跳，提升激光相干性，提升光束质量因子和限制因子，降低远场图像FFP的波纹。
本发明授权一种设有光学偏振插入层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有光学偏振插入层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102），有源层（103）、上波导层（104）、电子阻挡层（105）、上限制层（106），其特征在于：有源层103与上波导层104之间和有源层（103）与下波导层（102）之间设有光学偏振插入层（107），所述光学偏振插入层107为黑磷、NaNO2、PbZrO3、NaBiTiO3、CsBiNb2O7、Ti3C2Tx、CuInP2S6、WTe2的任意两种或任意两种以上组合。
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