安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116316050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310220246.9，技术领域涉及：H01S5/028；该发明授权一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件是由李水清;请求不公布姓名;王星河;刘紫涵;蔡鑫;张江勇;陈三喜;季徐芳;蒙磊;陈婉君;胡志勇设计研发完成，并于2023-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件在说明书摘要公布了：本发明提供了一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件，涉及半导体光电器件技术领域，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层，有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层，上限制层的上方设有弗兰克尔缺陷层；弗兰克尔缺陷层在上限制层的上方，弗兰克尔缺陷层在上限制层的上方，诱导产生化学键合界面和第二相共格界面，调节界面能带弯曲、过电位和界面声子散射，产生界面电荷转移，对氢原子进行高效脱附，形成H2排出表面，提升上限制层的p型掺杂元素的离化率并降低掺杂元素的受主激活能，提升上限制层的空穴浓度，提升空穴注入有源层的效率和输运效率，提升激光元件的峰值增益和斜率效率。
本发明授权一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件在权利要求书中公布了：1.一种设有弗兰克尔缺陷层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底（100）、下限制层（101）、下波导层（102），有源层（103）、上波导层（104）、电子阻挡层（105）、上限制层（106），其特征在于：上限制层（106）的上方设有弗兰克尔缺陷层（107），所述弗兰克尔缺陷层（107）为ZnIn2S4、In2O3、MnIn2S4、FeIn2S4、CoIn2S4、In2S3、CuInS2的任意两种或任意两种以上的组合。
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