买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜厦门大学申请的专利一种适用于STM-BJ的低漏电流针尖及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116165401B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310145918.4，技术领域涉及：G01Q60/16；该发明授权一种适用于STM-BJ的低漏电流针尖及其制备方法是由黄瑞芸;苏美玲;刘俊扬;洪文晶;路泰歌设计研发完成，并于2023-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于STM-BJ的低漏电流针尖及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种适用于STM－BJ的低漏电流针尖及其制备方法，包括：制备未包封的金针尖；将所述未包封的金针尖浸没于含巯基硅烷的乙醇溶液中，充分浸泡后得到表面吸附有巯基硅烷的金针尖；将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖通过去离子水冲洗，再将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖浸没于盐酸水溶液中，充分反应后得到包覆有羟基分子膜的金针尖；将所述包覆有羟基分子膜的金针尖的一部分隔离，暴露待包封区域，放入原子层沉积系统；向所述原子层沉积系统中通入含氧源和含铪源，在所述包覆有羟基分子膜的金针尖的待包封区域沉积二氧化铪，得到低漏电流针尖。

本发明授权一种适用于STM-BJ的低漏电流针尖及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种适用于STM-BJ的低漏电流针尖的制备方法，其特征在于：包括： 制备未包封的金针尖； 将所述未包封的金针尖浸没于含巯基硅烷的乙醇溶液中，充分浸泡得到表面吸附有巯基硅烷的金针尖； 将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖通过去离子水冲洗，再将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖浸没于盐酸水溶液中，充分反应后得到包覆有羟基分子膜的金针尖，其中，巯基硅烷的巯基吸附在金表面，巯基硅烷的甲氧基在盐酸的作用下水解形成羟基，相邻的羟基进一步脱水缩合即在金表面形成羟基分子膜，有利于ALD时前驱体在金表面的吸附，使沉积的二氧化铪更致密，达到更好的绝缘效果，充分反应的时间为4-6小时； 将所述包覆有羟基分子膜的金针尖的一部分隔离，暴露待包封区域，放入原子层沉积系统； 向所述原子层沉积系统中通入含氧源和含铪源，在所述包覆有羟基分子膜的金针尖的待包封区域沉积二氧化铪，得到低漏电流针尖，其中，所述二氧化铪的沉积厚度为5~20nm，在所述包覆有羟基分子膜的金针尖的待包封区域沉积5-20nm的二氧化铪的反应条件为：控制所述原子层沉积系统的真空反应腔温度180-220℃、含铪源温度70-90℃，氮气压力1.5-2.5bar。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门大学，其通讯地址为：361005 福建省厦门市思明南路422号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。