买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种双异质结自驱动紫外光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115966632B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310060579.X，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种双异质结自驱动紫外光电探测器及其制备方法是由潘毅;李雪妍;张一诺;王栋立;林煜楠设计研发完成，并于2023-01-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双异质结自驱动紫外光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双异质结自驱动紫外光电探测器及其制备方法，取p型或n型GaN衬底；沿p型或n型GaN衬底和生长的2H‑MoTe2薄膜上表面遮挡钽片；在未遮挡钽片的p型或n型GaN衬底生长连续的2H‑MoTe2薄膜形成2D3D异质结；在未遮挡钽片的2H‑MoTe2薄膜上表面生长第三层2Dvdw半导体材料，形成2D2D异质结；在三层材料上表面附上镂空掩模版，分别在镂空掩模版上镀Au电极，得到双异质结自驱动紫外光电探测器。光电探测器有更高的载流子迁移率，有较高的开关比和自驱动现象；并且可以调整光生载流子的输运路径，促进了光生载流子的分离、延长光生载流子寿命、提升光电探测器探测的光强范围。

本发明授权一种双异质结自驱动紫外光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种双异质结自驱动紫外光电探测器的制备方法，其特征在于，包括： 选取经过抛光处理的p型或n型GaN衬底，将p型或n型GaN衬底固定在样品托上； 沿p型或n型GaN衬底上表面一侧遮挡钽片； 在真空度高于1×10-6Pa超高真空环境中，通过分子束外延方法，控制Te与Mo的束流比和生长温度，在未遮挡钽片的p型或n型GaN衬底上表面生长连续的2H-MoTe2薄膜，形成2D3D异质结； 沿生长连续的2H-MoTe2薄膜上表面一侧遮挡钽片； 在超高真空环境中，通过分子束外延方法，在未遮挡钽片的2H-MoTe2薄膜上生长第三层2Dvdw半导体材料，第三层2Dvdw半导体材料为Te、MoS2、MoSe2、WTe2、WS2或WSe2，形成2D2D异质结； 去掉p型或n型GaN衬底和2H-MoTe2薄膜上表面的钽片，通过物理气相沉积方法，在p型或n型GaN衬底上表面、2H-MoTe2薄膜上表面和2Dvdw半导体材料上表面附上镂空掩模版，分别在镂空掩模版上镀Au电极，得到双异质结自驱动紫外光电探测器。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。