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龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构及实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130545B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310027684.3，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构及实现方法是由李雪;邵秀梅;李淘;杨波设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构及实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构及实现方法。探测器的结构设计为：在线列探测器上设置一个异形保护环，保护环扩散孔为“梳形”或“弓形”，环绕在每个矩形光敏元的三个侧边，保护环P区与器件N区通过延伸电极合并引出。其实现方法是在N‑InPI‑InGaAsN‑InP结构外延材料上，通过光刻、刻蚀同步获得光敏元扩散孔、保护环扩散孔，同步进行P型掺杂，延伸电极覆盖保护环的P电极孔与器件N电极槽，保护环在光照下产生的光生载流子通过延伸电极导出。本发明的优点是：该结构既具备平面型探测器暗电流低、占空比高、探测率高、可靠性高等优点，又通过保护环有效抑制了由于载流子横向扩散造成的光敏元扩大、相邻光敏元之间存在串扰的问题。

本发明授权平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构及实现方法在权利要求书中公布了：1.一种平面型铟镓砷线列探测器的异形保护环结构，所述的探测器为光敏元呈“一字型”等间距排列的正照射器件，其特征在于： 所述铟镓砷线列探测器上的每个光敏元上有一个光敏元扩散孔（1），每个探测器上设置一个异形保护环，其保护环扩散孔（2）为“梳形”，环绕在每个光敏元的三个侧边；两侧各设置一个N电极槽（3），每个光敏元扩散孔（1）上设置一个光敏元P电极孔（4），在异形保护环上设置一行保护环P电极孔（5），每个保护环P电极孔（5）的位置与相应的光敏元P电极孔（4）的位置一一对应；形成光敏元的扩散孔（1）和异形保护环的扩散孔（2）之后，通过对N-InPI-InGaAsN-InP结构进行扩散形成光敏元P区和异形保护环P区，光敏元扩散孔（1）为倒立的“凸形”孔，光敏元扩散孔（1）包括上侧大孔和下侧小孔，光敏元P电极孔（4）位于所述下侧小孔中；每个光敏元P电极孔（4）上引出一个P电极（6），探测器的延伸电极（7）覆盖异形保护环的保护环P电极孔（5）与器件的两个N电极槽（3），将器件的异形保护环P区与探测器N区合并引出。

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