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龙图腾网恭喜广州天极电子科技股份有限公司申请的专利一种射频薄膜电容器的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115938803B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211653701.6，技术领域涉及：H01G4/33；该发明授权一种射频薄膜电容器的制备方法是由丁明建;杨俊锋;冯毅龙;罗育红设计研发完成，并于2022-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频薄膜电容器的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种射频薄膜电容器的制备方法，涉及电容器技术领域。所述方法包括：在衬底上制备一层光刻胶，并对所述光刻胶依次进行曝光和显影操作得到第一掩膜结构；在所述第一掩膜结构上溅射一层金层得到底电极掩膜结构；在所述底电极掩膜结构上沉积一层薄膜介质层得到介质层掩膜结构；在所述介质层掩膜结构上溅射一层金层，得到顶电极掩膜结构；在所述顶电极掩膜结构上制备一层光刻胶，并对所述顶电极掩膜结构上制备的光刻胶依次进行曝光和显影操作得到第二掩膜结构；对所述第二掩膜结构依次进行刻蚀、划切和去光刻胶的操作得到射频薄膜电容器。本发明可最大程度地降低由于样品尺寸引入的插入损耗，提高电容器的使用频率。

本发明授权一种射频薄膜电容器的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种射频薄膜电容器的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上制备一层光刻胶，并对所述光刻胶依次进行曝光和显影操作得到第一掩膜结构；具体为：通过硬掩膜，使用曝光机对光刻胶曝光，对曝光后的光刻胶显影，获得曝光后的第一光刻胶图形； 在所述第一掩膜结构上溅射一层金层得到底电极掩膜结构，在所述第一掩膜结构上溅射的金层为射频薄膜电容器的底电极； 在所述底电极掩膜结构上沉积一层薄膜介质层得到介质层掩膜结构，在所述底电极掩膜结构上沉积的薄膜介质层为射频薄膜电容器的介质层； 在所述介质层掩膜结构上溅射一层金层，得到顶电极掩膜结构，在所述介质层掩膜结构上沉积的金层为射频薄膜电容器的顶电极； 在所述顶电极掩膜结构上制备一层光刻胶，并对所述顶电极掩膜结构上制备的光刻胶依次进行曝光和显影操作得到第二掩膜结构； 对所述第二掩膜结构依次进行刻蚀、划切和去光刻胶的操作得到射频薄膜电容器，具体为： 依次对所述第二掩膜结构内的顶电极、介质层和底电极沿预设沟道进行刻蚀得到刻蚀后的第二掩膜结构； 沿所述预设沟道对所述刻蚀后的第二掩膜结构进行划切得到多个电容器； 将各所述电容器放到丙酮中浸泡，清洗掉光刻胶； 将清洗掉光刻胶的电容器，放到烘箱进行热烘得到射频薄膜电容器。

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