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龙图腾网恭喜宁波恒普真空科技股份有限公司申请的专利一种适用于立式成膜设备的进气结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115928049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211545250.4，技术领域涉及：C30B25/14；该发明授权一种适用于立式成膜设备的进气结构是由刘鹏;徐文立;沈磊设计研发完成，并于2022-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种适用于立式成膜设备的进气结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种适用于立式成膜设备的进气结构，涉及半导体生产设备技术领域，主要结构包括进气室内设置的进气组合结构，进气组合结构中包括多个喷淋板，顶部的喷淋板与进气室内顶壁之间以及相邻的喷淋板之间分别设置有一进气层，进气室的侧壁上设置有多个进气口，每个进气层分别与一进气口相连通；每个进气层均独立的与反应室相连通。采用分层进气，反应气具备单独流道并用保护气体隔离的方式可减少反应气于进气室流道内混合反应形成沉积，长期进行薄膜制备仍有可能存在杂质附着和表面破损的情况。组件组合流道可及时更换组件确保进气均匀，使外延膜品质一致。各层流道通道数量和导管安装位置可根据情况进行调整，以满足不同生长工艺需要。

本发明授权一种适用于立式成膜设备的进气结构在权利要求书中公布了：1.一种适用于立式成膜设备的进气结构，其特征在于，包括进气室、反应室和基座；所述进气室底部设置有所述反应室，且所述进气室与所述反应室相连通；所述基座位于所述反应室内下部，且所述基座位于所述进气室正下方；所述基座顶部用于承托晶片；所述基座内设置有基座热场，所述基座热场用于对所述晶片加热；所述反应室底部设置有排气口；所述反应室内设置有套筒，所述套筒与所述反应室的侧壁之间设置有上部热场； 所述进气室内设置有进气组合结构，所述进气组合结构中包括由上到下依次设置的多个喷淋板，顶部的所述喷淋板与所述进气室内顶壁之间以及相邻的所述喷淋板之间分别设置有一进气层，所述进气室的侧壁上设置有多个进气口，每个所述进气层分别与一所述进气口相连通；其中，所述进气组合结构包括由上到下依次设置的第一喷淋板、第二喷淋板、第三喷淋板和第四喷淋板；所述第一喷淋板上设置有至少一个通光孔导管；所述通光孔导管的位置与所述进气室顶部的测温视窗相对应；所述第二喷淋板上设置有至少一个与所述第一喷淋板上的通光孔导管相对应的通光孔导管以及一个喷头；所述第三喷淋板上设置有至少一个与所述第一喷淋板上的通光孔导管相对应的通光孔导管以及两个喷头，其中一个所述喷头与所述第二喷淋板上的所述一个喷头相对应；所述第四喷淋板上设置有多个台阶孔；所述台阶孔分别与所述第三喷淋板上的所述通光孔导管以及所述两个喷头相对应；且所述台阶孔的内侧壁与所述通光孔导管和所述两个喷头的外侧壁之间设置有环形出气流道； 每个所述进气层均独立的与所述反应室相连通。

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