恭喜华中科技大学朱文获国家专利权
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龙图腾网恭喜华中科技大学申请的专利多孔硅/1T相MoS2复合负极材料及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799490B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211472347.7，技术领域涉及：H01M4/38；该发明授权多孔硅/1T相MoS2复合负极材料及其制备方法与应用是由朱文;邱鹏源设计研发完成，并于2022-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本多孔硅/1T相MoS2复合负极材料及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明属于锂电池负极材料相关技术领域，其公开了一种多孔硅1T相MoS2复合负极材料及其制备方法与应用，该方法含以下步骤：1将铝硅合金AlxSi100‑x与盐酸溶液混合得到悬浮液，并将该悬浮液在室温下进行磁力搅拌进行刻蚀，进而得到多孔硅，所述多孔硅内含有铝单质，x＝20～80；2将所述多孔硅加入到1T相MoS2前驱体溶液中得到悬浮液，将当前悬浮液先进行磁力搅拌后再进行水热处理，进而得到多孔硅1T相MoS2复合负极材料。本发明通过刻蚀AlxSi100‑xx＝20～80制备多孔硅的方法简单、安全，采用稀盐酸进行刻蚀，不需要氢氟酸，可以实现多孔硅的产业化制备和生产。
本发明授权多孔硅/1T相MoS2复合负极材料及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种多孔硅1T相MoS2复合负极材料的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤： 1将铝硅合金AlxSi100-x与盐酸溶液混合得到悬浮液，并将该悬浮液在室温下进行磁力搅拌进行刻蚀，进而得到多孔硅，所述多孔硅内含有铝单质，x＝20～80； 2将所述多孔硅加入到1T相MoS2前驱体溶液中得到悬浮液，将当前悬浮液先进行磁力搅拌后再进行水热处理，进而得到多孔硅1T相MoS2复合负极材料；其中，所述多孔硅和1T相MoS2摩尔比为1:1或者1:0.5或者1:2。
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