恭喜宁波恒普真空科技股份有限公司周荣国获国家专利权
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龙图腾网恭喜宁波恒普真空科技股份有限公司申请的专利碳化硅晶体生长装置、系统及方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115182038B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210981679.1,技术领域涉及:C30B23/00;该发明授权碳化硅晶体生长装置、系统及方法是由周荣国;邹路;刘鹏设计研发完成,并于2022-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅晶体生长装置、系统及方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种碳化硅晶体生长装置,涉及碳化硅晶体生长技术领域,在坩埚组件内设置有筒状的过滤组件,过滤组件的外壁与坩埚组件的内壁之间形成有用于放置碳化硅原料的环形原料腔;本发明中环形原料腔靠近坩埚组件内壁设置,保证原料区域温度的均匀性,避免碳化硅原料在传质过程中产生重结晶;而且过滤组件能对石墨化颗粒进行阻挡,减少碳包裹物的产生;导流环的材质为石墨,且其下表面形成有平面阻挡区,在碳化硅晶体生长初期,富硅气相组分与导流环下表面接触时,反应生成气相组分SiC,减小富硅气氛带来的不良影响。本发明还公开一种碳化硅晶体生长方法,通过升温‑保温‑降温的方式对碳化硅原料进行预处理,提高生成的碳化硅晶体的质量。
本发明授权碳化硅晶体生长装置、系统及方法在权利要求书中公布了:1.一种碳化硅晶体生长装置,包括坩埚组件(1),所述坩埚组件(1)内设置有籽晶组件;其特征在于:所述坩埚组件(1)内还设置有筒状的过滤组件(12),所述过滤组件(12)的外壁与所述坩埚组件(1)的内壁之间形成有用于放置碳化硅原料(13)的环形原料腔(A1),所述环形原料腔(A1)的顶部设置有防止碳化硅气相组分泄漏的密封组件;所述过滤组件(12)能够对所述碳化硅原料(13)进行阻挡,并允许所述碳化硅原料(13)加热后产生的碳化硅气相组分穿过;所述密封组件上设置有导流环(9),所述导流环(9)的顶部设置有所述籽晶组件,底部搭接于所述密封组件上,所述导流环(9)的内壁向内凸出所述过滤组件(12)的内壁,所述导流环(9)的下表面形成有平面阻挡区(F),其中,所述导流环(9)为石墨导流环; 所述过滤组件(12)为圆筒状的过滤网,所述坩埚组件(1)为圆筒状的坩埚组件(1),所述过滤网与所述坩埚组件(1)同轴设置,且所述过滤网的底部与所述坩埚组件(1)的底部密封抵接; 所述导流环(9)的顶部设置有向内凸出于所述导流环(9)内壁的收口凸起,所述收口凸起构成承载所述籽晶组件的承载环,所述籽晶组件包括: 放置于所述承载环上的籽晶托环(8); 放置于所述籽晶托环(8)上的碳化硅籽晶(10); 放置于所述碳化硅籽晶(10)上的石墨环垫片(7); 螺纹连接于所述导流环(9)上的上压盖(6),所述上压盖(6)将所述石墨环垫片(7)、所述碳化硅籽晶(10)和所述籽晶托环(8)压紧在所述承载环上。
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