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龙图腾网恭喜至讯创新科技(无锡)有限公司申请的专利2D存储器的浅槽隔离生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188705B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210945611.8，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权2D存储器的浅槽隔离生成方法是由吴红东设计研发完成，并于2022-08-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本2D存储器的浅槽隔离生成方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种2D存储器的浅槽隔离生成方法，包括在硅衬底上形成隧穿氧化层，然后在隧穿氧化层上形成存储单元区和外围电路区；生成有机介质层，以覆盖存储单元区、外围电路区和隧穿氧化层；刻蚀有机介质层，直至暴露外围电路区的隧穿氧化层，然后刻蚀隧穿氧化层和硅衬底；去除存储单元区的有机介质层，再次刻蚀隧穿氧化层和硅衬底，以形成存储单元区的第二浅槽隔离和外围电路区的第一浅槽隔离，第一次刻蚀时有机介质层能对存储单元区起到了保护作用，并为形成第一浅槽隔离做了基础，第二次刻蚀形成第一浅槽隔离和第二浅槽隔离，无需增加刻蚀量来形成所述第一浅槽隔离，保护了存储单元区，且仅需一次光刻，降低了成本。

本发明授权2D存储器的浅槽隔离生成方法在权利要求书中公布了：1.一种2D存储器的浅槽隔离生成方法，其特征在于，包括： 在硅衬底上形成隧穿氧化层，然后在所述隧穿氧化层上形成存储单元区和外围电路区； 生成有机介质层，以覆盖所述存储单元区、所述外围电路区和所述隧穿氧化层； 刻蚀所述有机介质层，直至暴露外围电路区的所述隧穿氧化层，然后刻蚀所述隧穿氧化层和所述硅衬底； 去除存储单元区的所述有机介质层，再次刻蚀所述隧穿氧化层和所述硅衬底，以形成所述存储单元区的第二浅槽隔离和所述外围电路区的第一浅槽隔离； 所述在所述隧穿氧化层上形成存储单元区和外围电路区，包括：在所述隧穿氧化层上形成至少两个存储单元和至少一个外围电路，所述存储单元之间具有第一空隙，所述外围电路之间以及所述存储单元区和所述外围电路区之间均具有第二空隙，且所述第二空隙的宽度大于所述第一空隙的宽度，其中，所有所述存储单元构成所述存储单元区，所有所述外围电路构成所述外围电路区； 所述生成有机介质层，以覆盖所述存储单元区、所述外围电路区和隧穿氧化层，包括：生成有机介质层，以覆盖所述存储单元区、所述外围电路区和隧穿氧化层，并填充满所述第一空隙和所述第二空隙； 所述刻蚀所述有机介质层，直至暴露外围电路区的所述隧穿氧化层，然后刻蚀所述隧穿氧化层和所述硅衬底，包括：刻蚀所述有机介质层，直至暴露位于所述第二空隙内的所述隧穿氧化层的表面；以所述存储单元和所述外围电路作为掩膜，刻蚀暴露在所述第二空隙内的所述隧穿氧化层，然后刻蚀暴露在所述第二空隙内的所述硅衬底，以在所述硅衬底上形成初始浅槽隔离。

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