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龙图腾网恭喜中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115763578B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210811436.3，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器是由周子骥;林虹宇;郝加明;胡淑红;孙艳;戴宁设计研发完成，并于2022-07-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器。该探测器自下而上依次为InAs衬底、InAsSbP阻挡层、InAs吸收层、InAsSbP窗口层；下电极制备在阻挡层上，上电极制备在窗口层上，人工微结构制备在窗口层上的上电极内。本发明的关键点在于提供的光电探测器有效探测波长覆盖范围宽、响应率高、工作温度高、暗电流低和可零偏压工作。

本发明授权一种人工微结构集成InAs基红外光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种人工微结构集成InAs红外探测器，包括衬底1、阻挡层2、吸收层3、窗口层4，其特征在于： 所述InAs红外探测器的结构自下而上依次为衬底1、阻挡层2、吸收层3、窗口层4；下电极5制备在阻挡层上，上电极6制备在窗口层上；人工微结构7制备在窗口层4上的上电极6内； 所述人工微结构7是由周期为2.5-5μm周期性单元组成，每个单元由材料为Au和Ag,厚度为0.3-0.8μm的边长为1-2μm的小方块和边长为1.4-2.8μm的大方块组成； 所述红外探测器的制造工艺步骤是： 采用液相外延方法在InAs衬底1上依次原位生长阻挡层2、吸收层3、窗口层4，采用刻蚀工艺自上而下刻蚀形成台面；刻蚀停止于阻挡层2，使得制备完成的器件，暴露在外的部分为阻挡层2及窗口层4； 采用标准光刻工艺在样品表面开电极孔，随后采用热蒸发或真空溅射或电子束蒸发方法形成下电极5及上电极6； 使用套刻工艺，在样品上电极6环形区域内开人工微结构孔，随后采用电子束蒸发方法生长Au和Ag，形成人工微结构7。

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