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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115332076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210793968.9，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权半导体器件及制备方法是由黄友杰;叶长福;上官明沁;吕佐文设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件及其制备方法，能够降低栅极漏电流存在的几率，从而降低半导体器件发生电性毁损的几率。本申请提供的一种半导体器件的制备方法包括以下步骤：提供衬底，包含绝缘区以及多个有源区，各个有源区被绝缘区分隔开；在衬底内形成沟槽，沟槽用于形成埋入式栅极；在沟槽内，沿垂直衬底上表面向上的方向，依次填充第一填充层和第二填充层，第二填充层的上表面高于衬底上表面；对第二填充层进行回退处理，使第二填充层的上表面低于衬底上表面；对沟槽的侧壁表面以及第二填充层的上表面进行还原处理，以修复沟槽的侧壁表面以及第二填充层的上表面；在第二填充层上方形成第三填充层，第三填充层填满沟槽。

本发明授权半导体器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，包含绝缘区以及多个有源区，各个所述有源区被所述绝缘区分隔开； 在所述衬底内形成沟槽，所述沟槽在所述衬底内部的绝缘区和有源区内均有分布，用于形成埋入式栅极； 在所述沟槽内，沿垂直所述衬底上表面向上的方向，依次填充第一填充层和第二填充层，所述第二填充层的上表面高于所述衬底上表面，所述第一填充层包含沿所述沟槽内壁依次形成的介电层、金属氮化物层以及金属材料层，其中，所述介电层为二氧化硅层或氮化硅层； 对所述第二填充层进行回退处理，使所述第二填充层的上表面低于所述衬底上表面； 对所述沟槽的侧壁表面以及所述第二填充层的上表面进行还原处理，包括：向所述沟槽内提供还原气体，通过所述还原气体修补所述沟槽的侧壁表面，以及所述第二填充层的上表面，所述还原气体包括氢气和氧气； 在所述第二填充层上方形成第三填充层，所述第三填充层填满所述沟槽。

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