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龙图腾网恭喜电子科技大学;电子科技大学重庆微电子产业技术研究院申请的专利一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115050810B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210754539.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件是由李泽宏;饶乾生;陈鹏;李陆坪;王彤阳;赵一尚;冯敬成设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有PN结接触的平面栅SJIGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统的平面栅SJIGBT器件JFET区引入P型环区，并将该P型环区与发射极金属通过多晶硅PN结连接。导通状态下，P型环区与发射极之间由多晶硅的PN结形成势垒，低的正向导通压降不足以使该PN结正向导通，因此不会影响器件的导通状态；阻断状态下，P型环区反偏，多晶硅的PN结结构被P型环区所屏蔽，不会影响器件的阻断状态；关断过程中，随着集电极电压的上升，该PN结势垒降低并正向导通，为空穴的抽取提供了额外的通路，加快了漂移区载流子的抽取速度，提高了平面栅SJIGBT器件的开关速度，降低了器件的关断损耗。

本发明授权一种具有PN结接触的平面栅SJ IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种具有PN结接触的平面栅SJIGBT器件，其特征在于，其元胞结构包括集电极金属1、P+集电区2、N型场截止层3、P柱4、N柱5、N型载流子存储层6、P型体区7、N+发射极8、多晶硅栅极9、P型环区10、栅氧11、P型多晶硅12、N型多晶硅13和发射极金属14； 所述集电极金属1、所述P+集电区2和所述N型场截止层3由下往上依次层叠；所述P柱4和所述N柱5位于所述N型场截止层3上，且所述P柱4位于所述N柱5两侧，形成超结结构；所述N型载流子存储层6位于所述P柱4和N柱5上；所述P型体区7位于所述N型载流子存储区6的顶层两侧，所述P型环区10位于两个所述P型体区7之间的所述N型载流子存储层6的顶层，所述P型体区7和所述P型环区10之间由所述N型载流子存储区6隔离；所述N+发射极8位于所述P型体区7的顶层； 所述栅氧11位于所述N+发射极8的第一部分、所述P型体区7的第一部分和所述N型载流子存储层6上，所述多晶硅栅极9位于所述栅氧11中，两个所述栅氧11通过由下至上依次层叠设置的所述P型多晶硅12和N型多晶硅13隔离，所述多晶硅栅极9通过栅氧11与其它部分隔离；所述P型多晶硅12位于所述P型环区10上；所述P型环区10与所述发射极金属14通过所述P型多晶硅12和所述N型多晶硅13形成的PN结连接；所述发射极金属14位于所述N+发射极8的第二部分、所述P型体区7的第二部分、所述栅氧11和所述N型多晶硅13上；所述发射极金属14与所述P型体区7之间形成欧姆接触。

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