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龙图腾网恭喜上海集成电路研发中心有限公司;上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司申请的专利一种低温离子注入方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101399B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210743807.9，技术领域涉及：H01J37/317；该发明授权一种低温离子注入方法及装置是由康晓旭设计研发完成，并于2022-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低温离子注入方法及装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低温离子注入方法及装置，该装置包括预冷台、与所述预冷台相连的预热台和传送部。所述传送部，用于在对硅片进行低温离子注入工艺前，将所述硅片传送至预冷台；所述预冷台，用于对所述硅片进行预冷；所述传送部，还用于将所述硅片转移到工艺腔中进行低温离子注入处理，以及在完成温离子注入处理后，将所述硅片传送至预热台；所述预热台，用于对所述硅片进行预热；预冷台与所述预热台通过半导体温控设备实现互连，所述半导体温控设备的热端连接所述预热台，所述半导体温控设备的冷端连接所述预冷台。该装置用以提升器件在低温下超浅结的离子注入效果。

本发明授权一种低温离子注入方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种低温离子注入装置，其特征在于，所述装置包括工艺腔、预冷台、与所述预冷台相连的预热台和传送部： 所述工艺腔，包括硅片承载台；所述硅片承载台包括硅片承载台表面、所述硅片承载台表面下方的高热导材料层、所述高热导材料层下方的制冷液体通道及与通道间隔排列的半导体制冷器的制冷端，所述制冷端与外部加热台的制热端连接在一起； 所述传送部，用于在对硅片进行低温离子注入工艺前，将所述硅片传送至预冷台； 所述预冷台，用于对所述硅片进行预冷； 所述传送部，还用于将所述硅片转移到工艺腔中进行低温离子注入处理，以及在完成低温离子注入处理后，将所述硅片传送至预热台； 所述预热台，用于对所述硅片进行预热； 其中，所述预冷台与所述预热台通过半导体温控设备实现互连，所述半导体温控设备的热端连接所述预热台，所述半导体温控设备的冷端连接所述预冷台。

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