恭喜中国科学院光电技术研究所罗先刚获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院光电技术研究所申请的专利一种材料填充保护光刻掩模及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115079506B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210701458.4，技术领域涉及：G03F1/00；该发明授权一种材料填充保护光刻掩模及其制备方法是由罗先刚;罗云飞;刘凯鹏;牟帅;谷雨;赵泽宇设计研发完成，并于2022-06-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种材料填充保护光刻掩模及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种材料填充保护光刻掩模的制备方法，包括：S1，在掩模基底上沉积光刻掩模材料，制备掩模图形结构；S2，向掩模图形结构中填充透明介质材料；S3，对S2中所得掩模进行退火处理；S4，对S3中所得掩模的表面进行化学机械抛光，以显露出掩模图形结构，得到材料填充保护的光刻掩模。本公开通过在接触式光刻掩模图形加工过程中对掩模图形结构进行材料填充，增大掩模图形结构与感光材料之间的接触面积与强度，从而有效提升接触式光刻掩模版的使用寿命，同时降低了掩模加工成本，拓展了接触式光刻技术的应用范围。
本发明授权一种材料填充保护光刻掩模及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种材料填充保护光刻掩模的制备方法，其特征在于，包括： S1，在掩模基底上沉积光刻掩模材料，制备掩模图形结构；所述光刻掩模材料为硬质金属，所述光刻掩模材料的厚度为20～300nm； S2，向所述掩模图形结构中填充透明介质材料，所述透明介质材料用于提升所述掩模图形结构的结构强度，所述透明介质材料包括氮化硅、金刚石和氧化铝； S3，对S2中所得掩模进行退火处理；所述退火处理的温度为100℃～1000℃，升温速度为10℃～100℃分钟，降温速度为10℃～50℃分钟，保温时间为0.5～10小时； S4，对S3中所得掩模的表面进行化学机械抛光，以显露出所述掩模图形结构，得到材料填充保护的光刻掩模。
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