恭喜TCL华星光电技术有限公司陈翠颖获国家专利权
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龙图腾网恭喜TCL华星光电技术有限公司申请的专利基于超结结构的薄膜晶体管及显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975597B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210565903.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权基于超结结构的薄膜晶体管及显示面板是由陈翠颖设计研发完成，并于2022-05-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于超结结构的薄膜晶体管及显示面板在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于超结结构的薄膜晶体管及显示面板，其中，所述基于超结结构的薄膜晶体管包括：栅极层，包括栅极；半导体层，位于所述栅极层的一侧，所述半导体层包括层叠设置的N型半导体层和P型半导体层，其中，所述N型半导体层的与所述P型半导体层接触的一侧设置有至少一个凹槽，所述凹槽内填充有部分所述P型半导体层；栅极绝缘层，位于所述栅极层和所述半导体层之间；源漏极层，位于所述半导体层表面上，所述源漏极层包括有源极和漏极，所述源极和所述漏极分别电性连接于所述半导体层。本发明通过设置所述凹槽，降低了所述N型半导体层与所述P型半导体层间的接触电阻，以及所制备的薄膜晶体管的导通电阻。
本发明授权基于超结结构的薄膜晶体管及显示面板在权利要求书中公布了：1.一种基于超结结构的薄膜晶体管，其特征在于，包括： 栅极层，包括栅极； 半导体层，位于所述栅极层的一侧，所述半导体层包括层叠设置的N型半导体层和P型半导体层，其中，所述N型半导体层的与所述P型半导体层接触的一侧设置有至少一个凹槽，所述凹槽内填充有部分所述P型半导体层； 栅极绝缘层，位于所述栅极层和所述半导体层之间； 源漏极层，位于所述半导体层表面上，所述源漏极层包括有源极和漏极，所述源极和所述漏极分别电性连接于所述半导体层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人TCL华星光电技术有限公司，其通讯地址为：518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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