恭喜东南大学;南京矽志微电子有限公司徐建获国家专利权
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龙图腾网恭喜东南大学;南京矽志微电子有限公司申请的专利一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114966223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210522862.5，技术领域涉及：G01R27/26；该发明授权一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法是由徐建;杨逸凡;闵可;秦唐臻设计研发完成，并于2022-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法，基于密勒效应产生负电容，与寄生电容对消，解决了目前电容测量领域中由于寄生电容导致测量范围受限和测量精度不高的问题。同时，能通过逻辑功能动态适应寄生环境变化导致寄生电容发生改变，解决了普通电路不能消去此类寄生电容影响的问题，从而提高电容测量的准确度和测量范围。本方法能广泛应用于电容传感器和触摸屏设计等领域中。
本发明授权一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法在权利要求书中公布了：1.一种消除测量电路中寄生电容的电容测量方法，其特征在于，包括：在待测量电容接入电容测量模块前，通过密勒效应产生一个负电容来对消等效输入寄生电容，然后再接入待测量电容进行电容测量； 若所述电容测量模块检测得到的所述等效输入寄生电容大于设定阈值，则步进增大通过密勒效应产生的所述负电容的大小，直到满足条件后再接入待测量电容进行电容测量。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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