恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司郭茂峰获国家专利权
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龙图腾网恭喜厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利一种垂直结构发光二极管的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020551B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210507528.2，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权一种垂直结构发光二极管的制造方法是由郭茂峰;高默然;李士涛;赵进超;田文;金全鑫;王思琦设计研发完成，并于2022-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种垂直结构发光二极管的制造方法在说明书摘要公布了：公开了一种垂直结构发光二极管的制造方法，包括：在图案化的生长衬底表面上形成外延层，外延层包括依次堆叠于生长衬底上的刻蚀阻挡层、第一半导体层、多量子阱层、载流子阻挡层以及第二半导体层，其中，第一半导体层和第二半导体层的掺杂类型彼此相反；在外延层上形成第一金属键合层；提供键合衬底，通过第一金属键合层将键合衬底与外延层键合；剥离生长衬底，并且暴露出具有凹凸图形的刻蚀阻挡层的表面；对刻蚀阻挡层的至少一部分进行平坦化。本发明在生长衬底和第一半导体层之间增设刻蚀阻挡层，并且结合高选择性刻蚀工艺改善刻蚀工艺均匀性和稳定性，同时可以改善外延层晶体质量和外延层应力，提高外延晶圆的光电参数性能和均匀性。
本发明授权一种垂直结构发光二极管的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种垂直结构发光二极管的制造方法，其特征在于，包括： 在图案化的生长衬底表面上形成外延层，所述外延层包括依次堆叠于所述生长衬底上的刻蚀阻挡层、第一半导体层、多量子阱层、载流子阻挡层以及第二半导体层，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层的掺杂类型彼此相反； 在所述外延层上形成第一金属键合层； 提供键合衬底，通过所述第一金属键合层将所述键合衬底与所述外延层键合； 剥离所述生长衬底，并且暴露出具有凹凸图形的刻蚀阻挡层的表面； 对所述刻蚀阻挡层的至少一部分进行平坦化；以及 对划片道区域进行刻蚀，形成台阶结构； 其中，对所述刻蚀阻挡层的至少一部分进行平坦化包括：至少对划片道区域的所述刻蚀阻挡层进行平坦化。
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