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龙图腾网恭喜合肥京东方显示技术有限公司;京东方科技集团股份有限公司申请的专利薄膜晶体管及其制备方法、显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843348B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210451632.4，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权薄膜晶体管及其制备方法、显示面板是由汪涛;钱海蛟;张洪波;李盛荣;赵立星;陈亮;刘泽旭;张瑞锋;毛金翔;曲峰设计研发完成，并于2022-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜晶体管及其制备方法、显示面板在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种薄膜晶体管及其制备方法、显示面板。该薄膜晶体管包括层叠设置的栅极绝缘层、有源结构、掺杂结构和源漏极结构，有源结构包括源漏极区和沟道区，掺杂结构覆盖所述源漏极区。本申请通过掺杂结构覆盖有源结构的源漏极区，能够有效避免水波纹不良，利于提升显示面板的亮度均一性，以及利于提高显示面板的良率和品质，且采用该薄膜晶体管能够提升大尺寸高端显示产品的品质，且不需要增加额外掩膜版，可以在现有产线的基础上直接完成，降低生产成本，具有广泛的推广价值。

本发明授权薄膜晶体管及其制备方法、显示面板在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述薄膜晶体管包括层叠设置的栅极绝缘层、有源结构、掺杂结构和源漏极结构，所述有源结构包括源漏极区和沟道区，所述掺杂结构覆盖所述源漏极区，所述制备方法包括： 在栅极绝缘层的一侧依次制备初始有源层、初始掺杂层和初始源漏极层，所述初始有源层和所述初始掺杂层形成初始非金属层，在所述初始源漏极层远离所述栅极绝缘层的一侧制备第一光刻胶结构； 基于所述第一光刻胶结构，对所述初始源漏极层和所述初始非金属层进行湿法刻蚀，形成中间源漏极结构和中间非金属结构，使得所述中间源漏极结构刚好覆盖所述中间非金属结构靠近所述中间源漏极结构的一侧； 图案化所述第一光刻胶结构，形成第二光刻胶结构； 基于所述第二光刻胶结构，对所述中间源漏极结构和所述中间非金属结构进行刻蚀，形成层叠的有源结构、掺杂结构和源漏极结构，使得所述掺杂结构覆盖源漏极区，所述有源结构包括所述源漏极区和沟道区； 剥离所述第二光刻胶结构。

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