恭喜华南理工大学王文樑获国家专利权
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龙图腾网恭喜华南理工大学申请的专利N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864657B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210396659.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法是由王文樑;李灏;侯冬曼;李国强;林廷钧设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种N极性GaNAlGaN基整流器及其制备方法，该整流器包括整流器外延片和设置在整流器外延片上的欧姆接触电极、Si3N4钝化层以及肖特基接触电极；整流器外延片包括在碳化硅衬底上依次生长的AlN缓冲层、双重SiN插入层结构、非掺杂AlGaN势垒层以及非掺杂GaN沟道层，欧姆接触电极和Si3N4钝化层均设置在非掺杂GaN沟道层上，其中，双重SiN插入层结构包括在AlN缓冲层上依次生长的下层SiN插入层、AlGaN缓冲层和上层SiN插入层。本发明通过采用N极性GaNAlGaN异质结外延片制备整流器，并且设计双重SiN插入层结构，能够实现具有低开启电压、高截止频率的高性能整流器。
本发明授权N极性GaN/AlGaN基整流器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种N极性GaNAlGaN基整流器，其特征在于，包括整流器外延片和设置在所述整流器外延片上的欧姆接触电极、Si3N4钝化层以及肖特基接触电极；所述整流器外延片包括在碳化硅衬底上依次生长的AlN缓冲层、双重SiN插入层结构、非掺杂AlGaN势垒层以及非掺杂GaN沟道层，所述欧姆接触电极和所述Si3N4钝化层均设置在所述非掺杂GaN沟道层上，其中，所述双重SiN插入层结构包括在所述AlN缓冲层上依次生长的下层SiN插入层、AlGaN缓冲层和上层SiN插入层。
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