恭喜日本碍子株式会社竹林央史获国家专利权
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龙图腾网恭喜日本碍子株式会社申请的专利半导体制造装置用构件及其制法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114864433B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210066855.9,技术领域涉及:H01L21/67;该发明授权半导体制造装置用构件及其制法是由竹林央史;伊藤丈予设计研发完成,并于2022-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体制造装置用构件及其制法在说明书摘要公布了:本发明提供一种将上部板、中间板和下部板金属接合而成的半导体制造装置用构件及其制法,该构件的接合性良好且不易破损。本发明的半导体制造装置用构件10具备:陶瓷制的上部板20,其具有晶片载置面22、且内置有相互平行的静电电极24及上部辅助电极26;中间板30,其经由第一金属接合层31接合于上部板20的与晶片载置面22相反一侧的面23;以及下部板40,其经由第二金属接合层32接合于中间板30的与接合于上部板20的面相反一侧的面、且内置有相互平行的加热电极44和下部辅助电极46。
本发明授权半导体制造装置用构件及其制法在权利要求书中公布了:1.一种半导体制造装置用构件,其具备: 陶瓷制的上部板,其具有晶片载置面,且内置有相互平行的静电电极和上部辅助电极; 中间板,其经由第一金属接合层接合于所述上部板的与所述晶片载置面相反一侧的面;以及 下部板,其经由第二金属接合层接合于所述中间板的与接合于所述上部板的面相反一侧的面,且内置有相互平行的加热电极和下部辅助电极, 所述中间板的直径比所述上部板及所述下部板的直径大。
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