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龙图腾网恭喜深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利金属氧化物薄膜晶体管、显示面板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420764B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210043838.3，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权金属氧化物薄膜晶体管、显示面板及其制备方法是由请求不公布姓名;胡绍君;李义钊设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本金属氧化物薄膜晶体管、显示面板及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管、显示面板及其制备方法，其中，金属氧化物薄膜晶体管包括缓冲层、有源层、栅极绝缘层、栅极层和介电层，有源层设置在缓冲层的一侧，有源层的材料为金属氧化物；栅极绝缘层设置在有源层远离缓冲层的一侧；栅极层设置在栅极绝缘层远离有源层的一侧；介电层设置在栅极层远离缓冲层的一侧，且介电层覆盖部分有源层、部分缓冲层和部分栅极绝缘层，在缓冲层至有源层的方向上，介电层包括依次层叠设置的氧化硅子层和阻挡子层，阻挡子层的覆盖性能大于氧化硅子层的覆盖性能。本申请实施例通过覆盖性能更大的阻挡子层不发生断裂，避免了由于介电层完全断裂而导致水汽进入影响其它器件的情况。

本发明授权金属氧化物薄膜晶体管、显示面板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括： 缓冲层； 有源层，所述有源层设置在所述缓冲层的一侧，所述有源层的材料为金属氧化物； 栅极绝缘层，所述栅极绝缘层设置在所述有源层远离所述缓冲层的一侧； 栅极层，所述栅极层设置在所述栅极绝缘层远离所述有源层的一侧； 介电层，所述介电层设置在所述栅极层远离所述缓冲层的一侧，且所述介电层覆盖部分所述有源层、部分所述缓冲层和部分所述栅极绝缘层，在所述缓冲层至所述有源层的方向上，所述介电层包括依次层叠设置的氧化硅子层和阻挡子层，所述阻挡子层的覆盖性能大于所述氧化硅子层的覆盖性能； 其中，所述阻挡子层包括氮氧化硅和氮化硅中的至少一种，所述氧化硅子层的厚度大于3000Å，所述阻挡子层的厚度在500Å至1500Å之间，所述介电层还包括氮氧化硅子层，所述氮氧化硅子层设置在所述氧化硅子层远离所述阻挡子层的一侧，所述氮氧化硅子层的厚度大于或等于1500Å； 所述阻挡子层和所述氮氧化硅子层是采用无氨工艺来制作的。

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