恭喜绍兴同芯成集成电路有限公司严立巍获国家专利权
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龙图腾网恭喜绍兴同芯成集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464529B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210022831.3，技术领域涉及：H01L21/324；该发明授权一种半导体器件的制备方法是由严立巍;符德荣;陈政勋设计研发完成，并于2022-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种半导体器件的制备方法，包括：将晶圆正面键合至载板；将晶圆的背面减薄至预设厚度后，完成背面元件工艺；将晶圆转移至载盘，将晶圆和载盘的周边间隙至少部分采用第一聚亚酰胺封止，将载板与晶圆解键合，移除载板载板；移除第一聚亚酰胺，并完成离子激活；将晶圆和载盘的周边间隙至少部分采用第二聚亚酰胺封止，以将晶圆后固定至载盘内；完成晶圆的正面的元件工艺。该方法将晶圆键合至载板完成晶圆背面元件工艺，转移至载盘完成高温离子激活后，采用第二聚亚酰胺封止固定晶圆，进行晶圆正面元件工艺的制备，避免了高温回火的高温损坏，且晶圆制备的不同阶段，采用载板、载盘等固定支撑，提高了晶圆加工制备的便利性。
本发明授权一种半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 将晶圆正面键合至载板； 将所述晶圆的背面减薄至预设厚度后，完成背面元件工艺； 将所述晶圆转移至第一载盘，将所述晶圆和所述第一载盘之间的至少部分周边间隙采用第一聚酰亚胺封止，将所述载板与所述晶圆解键合，移除所述载板； 移除所述第一聚酰亚胺，并完成离子激活； 将所述晶圆和所述第一载盘之间的至少部分周边间隙采用第二聚酰亚胺封止，以将所述晶圆后固定至所述第一载盘内； 完成所述晶圆的正面的元件工艺； 所述离子激活具体包括：对晶圆进行离子注入；将完成离子注入的晶圆进行热处理。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴同芯成集成电路有限公司，其通讯地址为：312000 浙江省绍兴市越城区银桥路326号1幢1楼113室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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