买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜宁波工程学院申请的专利一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114464470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210007647.1，技术领域涉及：H01G11/86；该发明授权一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用是由高凤梅;李维俊;王瑞莹;李侃;杨为佑设计研发完成，并于2022-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种多孔SiC@PANI核壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用，属于能源制造技术领域。本发明公开了一种多孔SiC@PANI核壳纳米线准阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将聚硅氮烷和三聚氰胺的粉末混合后置于覆盖有碳基材的坩埚中，通过化学气相沉积法在碳基材上负载SiC纳米线；然后将负载有SiC纳米线的碳基材作为阳极，将铂片电极作为阴极，苯胺酸性溶液作为电解液，通过脉冲电沉积获得多孔SiC@PANI核壳纳米线准阵列。本发明还公开了一种多孔SiC@PANI核壳纳米线准阵列及其在超级电容器中应用。

本发明授权一种多孔SiC@PANI核/壳纳米线准阵列的制备方法及其在超级电容器中应用在权利要求书中公布了：1.一种多孔SiC@PANI核壳纳米线准阵列的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 将质量比为3:1的聚硅氮烷、三聚氰胺粉末混合均匀后置于覆盖有碳布的坩埚中，将坩埚置于高温气氛烧结炉中，在氩气氛围下，经过48min从室温升到第一阶段温度1400℃，再经过10min升至第二阶段温度1550℃，然后经过8min降至第三阶段温度1300℃后自然冷却，得到负载有SiC纳米线的碳布； 将0.005mol的苯胺单体分散于浓度为0.5molL的500ml盐酸溶液中；然后将上述碳布置于含有15ml苯胺酸性溶液的电解池中，以负载有SiC纳米线的碳布作为阳极，将铂片作为阴极，设置脉冲电源交流模式，占空比为50%，电压为0-1.2V，频率为50Hz，时间为60min，沉积完成后取出烘干，获得SiC@PANI核壳纳米线准阵列。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人宁波工程学院，其通讯地址为：315000 浙江省宁波市海曙区翠柏路89号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。