恭喜河源市艾佛光通科技有限公司李国强获国家专利权
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龙图腾网恭喜河源市艾佛光通科技有限公司申请的专利一种单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114499440B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111597762.0，技术领域涉及：H03H9/02；该发明授权一种单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用是由李国强设计研发完成，并于2021-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用。该谐振器按照从下向上的顺序依次包括衬底层、布拉格反射层、第一键合层、第二键合层、压电层和电极层；所述电极层的宽度小于所述压电层；所述谐振器还包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层分别包围所述第一键合层和所述第二键合层设置，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层内分别设有若干个水平排列的第一空气孔和若干个水平排列的第二空气孔；若干个所述第一空气孔与若干个所述第二空气孔一一对应并相通；所述压电层材料为AlN或者铌酸锂。本发明的谐振器可以提高品质因数并降低功率损耗。
本发明授权一种单晶薄膜体声波谐振器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种单晶薄膜体声波谐振器，其特征在于：按照从下向上的顺序依次包括衬底层、布拉格反射层、第一键合层、第二键合层、压电层和电极层；所述电极层的宽度小于所述压电层；所述谐振器还包括第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层分别包围所述第一键合层和所述第二键合层设置，所述第一氧化硅层和所述第二氧化硅层内分别设有若干个水平排列的第一空气孔和若干个水平排列的第二空气孔；若干个所述第一空气孔与若干个所述第二空气孔一一对应并相通；所述压电层材料为AlN或者铌酸锂；所述第一空气孔和所述第二空气孔中，相邻空气孔之间的间距为声波波长的四分之一。
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