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龙图腾网恭喜通富微电子股份有限公司申请的专利多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203565B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111496903.X，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构是由杜茂华;吴明敏设计研发完成，并于2021-12-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构，该方法提供缓冲芯片和多个第一存储器芯片，以上芯片均设置有多个导电通孔。在第一存储器芯片的第一表面对应导电通孔处依次形成第一导电凸块和第二导电凸块。在第一存储器芯片的第二表面对应导电通孔处形成第一焊盘。通过热压焊工艺，将每相邻两个第一存储器芯片的第二导电凸块和第一焊盘嵌套，将多个第一存储器芯片依次绝缘堆叠在缓冲芯片上。通过回流焊工艺，将堆叠完成的多个第一存储器芯片和缓冲芯片回流焊接。形成塑封层，塑封层包裹多个第一存储器芯片和缓冲芯片。本发明通过两步焊接工艺，将第二导电凸块和第一焊盘相嵌套，可减小第二导电凸块的变形，实现超细间距的互连。

本发明授权多层堆叠高宽带存储器封装方法及封装结构在权利要求书中公布了：1.一种多层堆叠高宽带存储器封装方法，其特征在于，所述方法包括： 提供缓冲芯片和多个第一存储器芯片，所述缓冲芯片和所述多个第一存储器芯片均设置有多个导电通孔； 在所述第一存储器芯片朝向所述缓冲芯片的表面对应所述导电通孔的位置处，依次形成第一导电凸块和第二导电凸块，其中，所述第二导电凸块呈柱状结构； 在所述第一存储器芯片背离所述缓冲芯片的表面对应所述导电通孔的位置处形成第一焊盘； 通过热压焊工艺，将每相邻两个所述第一存储器芯片的所述第二导电凸块和所述第一焊盘相嵌套，以减小所述第二导电凸块的变形，实现超细间距的互连，进而将所述多个第一存储器芯片依次绝缘堆叠在所述缓冲芯片上；其中， 所述第二导电凸块与所述第一焊盘相嵌套的具体过程包括：在所述第一焊盘上形成凸起；通过热压焊工艺，将每相邻两个所述第一存储器芯片的所述凸起压入所述第二导电凸块中；其中，所述第一导电凸块的熔点大于所述第二导电凸块的熔点，并且，所述热压焊工艺的温度小于所述第二导电凸块的熔点； 在酸性气体环境下，通过回流焊工艺，将堆叠完成的所述多个第一存储器芯片和所述缓冲芯片进行回流焊接； 形成塑封层，所述塑封层包裹所述多个第一存储器芯片和所述缓冲芯片。

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